[实用新型]高压大功率晶闸管双正角成形设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高压、大电流半导体芯片的割圆，侧面成形、腐蚀加工的设备，特别适合于制造3000V、2000A以上高压、大功率晶闸管。

背景技术

目前国内晶闸管台面的成形方法主要是磨角法、喷砂法，所成台面为一个正角、一个负角，割圆方法为用钻床带圆形割刀，或激光割圆，为之所用的腐蚀方法为旋转腐蚀和或涂胶手工腐蚀。

现已有一些半导体器件的制造方法申请专利，如《台面型半导体器件的制造方法》(专利号申请号85100501)，它是采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面.所开的槽与p-n结界面接近垂直。《制作半导体台面侧向电流限制结构的技术》(专利号申请号96109615.2)，它是由下列步骤组成的：第一步，在衬底材料上进行第一次外延生长，第二步，将所述一次外延层腐蚀或刻蚀成目标器件所要求的台面，第三步，采用气相外延法等进行第二次外延生长，第四步，将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，第五步，进行第三次外延生长，该外延层覆盖挖穿部分。

发明内容

本实用新型的目的是针对上述现状，设计一种可实现双正角工艺，可提高正反转折电压的对称性，提高芯片面积利用率，提高成品率的高压大功率晶闸管双正角成形设备。

本实用新型目的的实现方式为：高压大功率晶闸管双正角成形设备，平台1一边固定有固定支撑架8，相对的另一边有供被动支撑架2左右移动的滑槽25，后边供滑块21、22滑动的滑槽35、13，固定支撑架8上安有由电机10、传动皮带、传动皮带盘12带动的主动转轴14、有割圆刀的刀架15，主动转轴14外端接真空接头11，内端安夹具7，被动支撑架2安有与主动转轴14位置相对的被动转轴23、刀架15，下部有螺杆24，被动转轴23内端安夹具3，滑块21上安有刀架竖杆19，刀架横杆18通过升降旋钮套20套在刀架竖杆19外，刀架横杆杆头有夹开双正角槽的刀片16或腐蚀头的刀片夹具17，移动旋柄4、5分别与滑块21、22相连，滑块21两边有位移螺杆31和弹簧32。

使用本实用新型时，通过真空接头11抽真空，芯片6吸在主动转轴的夹具7上，移动被动转轴23上的夹具3，将芯片夹紧，割圆刀34将芯片割圆后，用开双正角槽的刀片16开双正角槽。本实用新型可实现双正角工艺，可提高正反转折电压的对称性，提高芯片面积利用率，提高成品率。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图

图2是开有双正角槽的芯片结构图

图中还有电器面板9。

具体实施方式

本实用新型平台1上有固定、被动支撑架8、2，供被动支撑架2、滑块21、22滑动的滑槽25、35、13，固定支撑架8上有主动转轴14、有割圆刀的刀架15，外端接真空接头11，内端安夹具7，被动支撑架2安被动转轴23、割圆刀的刀架15，被动转轴内端安夹具3，滑块21上安有刀架杆，刀架杆杆头有夹开双正角槽的刀片的刀片夹具17。有割圆刀的刀架15中间有折点33。

参照图1，平台1有供被动支撑架2前后移动的滑槽25，刀片夹具17上夹开双正角槽的刀片16。使用本实用新型时，通过真空接头11抽真空，将待加工的芯片6放置夹具7处，并被吸在其上。操纵螺杆24，被动支撑架2带着刀架15沿滑槽25向内滑行，使夹具3与夹具7将芯片夹紧。开启电机10，电机通过传动皮带、传动皮带盘12带动的主动转轴14、被动转轴23旋转，刀架15上的割圆刀34将芯片6割圆，并与夹具3、7平齐。

将刀架15从折点33折回。通过移动旋柄4、5分别使滑块21、22沿滑槽13、35滑动，旋转升降旋钮20，升或降刀架横杆18，位移螺杆31、弹簧32调整滑块21前后移动，使刀架横杆18上开双正角槽的刀片16对准芯片，开启电机10，电机通过传动皮带、传动皮带盘12带动的主动转轴14、被动转轴23上的芯片6旋转，开双正角槽的刀片16在芯片上开出双正角槽26，芯片加工成如图3所示的形状。刀片16刀口为电镀金刚石，角度为40°-60°。

从刀片夹具17上取下开双正角槽的刀片16，还可换上腐蚀头，并作防腐处理，本实用新型即可作腐蚀机。