[实用新型]用于校正外延基座位置的工具

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于校正半导体设备的工具，具体涉及一种用于校正外延基座位置的工具。

背景技术

硅外延在CMOS、BiCMOS和射频集成电路中有着广泛的应用。由于这些集成电路中半导体器件制备在硅外延层中，所以其器件性能主要取决于外延层的特性，如电阻率、厚度等。

在外延过程中，衬底硅片被放置在基座上并被加热到一定的温度，当反应气体流经衬底表面时发生反应，从而硅沉积到衬底上，如图1所示。衬底的温度分布和气流状态决定了外延层的厚度以及电阻率的大小和均匀性，而外延层的厚度和电阻率特性对衬底的高低和水平情况非常敏感，衬底有较小的位置变动对这些外延层特性会产生很大的影响；由于衬底是直接放置在基座上，衬底的位置状态取决于基座相对于预热环的高低和水平情况，因此将基座安装到正确的位置是获得最佳外延工艺条件的前提。另外，集成电路制造很注重设备在维护前后设备和工艺状态的一致性，从而保证整个半导体制程的稳定性；而外延是集成电路制造中的关键工艺，所以外延设备在维护后需要尽可能恢复到维护前的状态。

目前所使用的校正基座与预热环之间相对位置的方法如下：

1、采用目测的方法，校正外延基座的中心位置，使得基座与两侧预热环的左右间距相等；

2、将净化纸放置在外延的预热环上，然后目测基座与预热环之间的上下距离在1mm左右，从而确定外延基座的上下位置。

外延基座的中心和上下位置的精确度非常重要，外延基座位置是否准确会直接影响到外延工艺的膜厚淀积速率和电阻率的均匀性。而现有技术所使用目测的方法受操作者的主观影响较大，校正后外延基座的位置差异很大，很难准确和重复地确定基座与预热环之间的相对位置。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于校正外延基座位置的工具，它可以准确并方便快捷地校正基座与预热环之间的相对位置。

为解决上述技术问题，本实用新型用于校正外延基座位置的工具的技术解决方案为：

包括由特氟龙材料制成的T形工具，T形工具顶部为平面，两翼之间存在高度差。

本实用新型可以达到的技术效果是：

结构简单，应用简便而且不受操作者主观判断的影响，使用本实用新型校正后的基座与预热环之间的高度相对位置以及基座与预热环的间隙重复性好；调整方法简单快捷，可以缩短设备维护时间，可保证外延设备在维护后工艺正常。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是外延设备的示意图；

图2本实用新型用于校正外延基座位置的工具的示意图；

图3是本实用新型的使用状态示意图。

图中，1反应腔，2反应气体进口，3衬底硅片，4排气口，5预热环，6基座，7转动机构，8T形工具。

具体实施方式

如图2所示，本实用新型包括由特氟龙材料制成的T形工具，T形工具顶部为平面，T形工具的两翼之间存在高度差A，高度差A为基座6与预热环5之间的垂直距离，本实施例中，高度差A在0.5～1.5mm之间。T形工具的尾部宽度B为基座6与预热环5之间的水平间距，本实施例中，尾部宽度B在2～5mm之间。

校正基座6与预热环5之间的位置时，将T形工具的尾部插入基座6与预热环5之间，基座6与预热环5之间高度方向的相对位置由T形工具两翼之间的高度差A确定，基座6与预热环5之间的间隙由T型工具尾部宽度B确定，如图3所示。为了使操作更加便捷，可以在T形工具两侧分别标明靠近基座端或靠近预热环端。

使用该T形工具校正基座6与预热环5之间的相对位置有如下优点：

1、校正后的位置精度高，受人为影响小，重复性好；

2、本实用新型由特氟龙材料制成，没有金属污染，不会变形或收缩；

3、使用本实用新型进行校正，简单快捷，可以缩短设备的维护时间。