[实用新型]测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪有效
| 申请号: | 200720127466.3 | 申请日: | 2007-08-15 |
| 公开(公告)号: | CN201096867Y | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
| 发明(设计)人: | 任林生;李建帅;曾勇 | 申请(专利权)人: | 新疆新能源股份有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R27/02 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 罗建民;张天舒 |
| 地址: | 830011新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测量 半导体 材料 电阻率 多功能 测试仪 | ||
1. 一种测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪,包括多路输出控制变压器、整流电路、稳压电路,其特征在于还包括单晶硅P/N型探针连接检测端口和单晶硅电阻率探针连接检测端口,单晶硅P/N型探针连接检测端口与多路输出控制变压器的一输出端连接,该探针连接检测端口还与整流电路、滤波电路连接,再接一运算放大器,运算放大器分别通过NPN或PNP型三极管与能够显示单晶硅P/N型的数码管驱动连接;单晶硅电阻率探针连接检测端口与整流电路、滤波、恒流稳压电路连接,整流电路与多路输出控制变压器的一输出端连接,电阻率探针检测端口还与显示电阻率的数字电压表连接。
2. 根据权利要求1所述的测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪,其特征在于多路输出控制变压器有三路输出端。
3. 根据权利要求1或2所述的测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪,其特征在于数字电压表通过整流稳压电路与多路输出控制变压器的一输出端连接。
4. 根据权利要求3所述的测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪,其特征在于单晶硅P/N型探针头的连接检测端口(J7)为三探针连接检测端口,采用三探针航空插头(12),可插接三探针头;电阻率探针头的连接检测端口(J5)为四探针连接检测端口,采用四探针航空插头(13),可插接四探针头。
5. 根据权利要求4所述的测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪,其特征在于三探针连接检测端口与一整流电路连接,三探针测量出的电流信号经整流电路的整流桥(D2)整流、整流桥与一稳压器连接后再与蜂鸣器LS连接,稳压器同时并接能够显示单晶硅P/N型的数码管,形成检测P/N型和低阻硅料蜂鸣电路。
6.B 根据权利要求5所述的测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪,其特征在于控制变压器三路控制输出端(T1、T2、T3)分别为:交流一路由控制输出端(T1)输出到由二个并联的整流桥D3和D4组成的整流电路,二个并联的整流桥分别与三端稳压器连接,与整流桥D3连接的三端稳压器(U4)其一端通过滤波电路与三探针头的连接检测端口(J7)连接,该三端稳压器另一端与运算放大器连接,运算放大器再分别经过NPN和PNP型三极管与能够显示单晶硅P/N型的数码管驱动连接;与整流桥(D4)连接的三端稳压器(U5)的输出端给连接在端口(J5)上的四探针提供电源;交流二路、三路由控制输出端(T2、T3)输出,依次给二个由整流桥(D1、D2)构成的整流电路供电,整流桥D1与三端稳压器(U1)连接为数字电压表的连接端口(J10)供电;整流桥D2与三端稳压器(U2)连接同时为2个七段数码管的连接端口(J6)和蜂鸣器(LS)供电。
7. 根据权利要求6所述的测量半导体硅材料P/N型及电阻率的多功能测试仪,其特征在于所述的恒流稳压电路由电阻率校准电位器(R)和三极管(Q1)连接后与稳压管(D5)并联在三端稳压器(U5)的输出端组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新疆新能源股份有限公司,未经新疆新能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720127466.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





