[实用新型]具稳压功能的同步整流电路无效

专利信息
申请号: 200720125591.0 申请日: 2007-09-21
公开(公告)号: CN201113814Y 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 黄明和 申请(专利权)人: 高效电子股份有限公司
主分类号: H02M7/12 分类号: H02M7/12;H02M7/217;G05F1/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 稳压 功能 同步 整流 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型是有关于一种同步整流电路,尤指一种具稳压功能的同步整流电路,其控制电路可根据该电压输出端控制该开关的导通程度,以使该电压输出端维持稳定。

背景技术

按,一般电源供应器中的同步整流元件通常仅具有开关的性质,亦即该同步整流元件是操作于完全导通区,仅具有导通或截止两种状态,因此无法达到调整或稳定其电压输出端的功能,诚属美中不足之处。

有鉴于此,本实用新型提出一种具稳压功能的同步整流电路以改善上述缺点。

实用新型内容

本实用新型的一目的是提供一种具稳压功能的同步整流电路,其控制电路可根据该电压输出端控制该开关的导通程度,以使该电压输出端维持稳定。

为达上述的目的,本实用新型的一种具稳压功能的同步整流电路,其特征在于,其具有:

一变压器,其具有一可外加电压的初级线圈及一次级线圈;

一开关,为一三端元件,其第一端耦接至一电压输出端,第三端耦接至该次级线圈的一端;以及

一控制电路,其输入端耦接至该电压输出端,输出端则耦接至该开关的第二端。

其中该开关为一电力开关,且该电力开关为N通道金属氧化半导体场效应晶体管、N通道接面场效应晶体管、P通道金属氧化半导体场效应晶体管或P通道接面场效应晶体管。

其中该第一端是该金属氧化半导体场效应晶体管的漏极,该第二端是该金属氧化半导体场效应晶体管的栅极,该第三端是该金属氧化半导体场效应晶体管的源极。

其中该控制电路为一集成电路或由若干主动或被动元件所组成的控制电路。

为达上述的目的,本实用新型的一种具稳压功能的同步整流电路,其特征在于,其具有:

一变压器,其具有一输入端可外加电压的初级线圈及一第一次级线圈及一第二次级线圈;

一第一开关,为一三端元件,其第一端耦接至该第一次级线圈的一端,该第一次级线圈的另一端则耦接至一电压输出端,第三端则接地;

一第二开关,为一三端元件,其第一端耦接至该第二次级线圈的一端,该第二次级线圈的另一端则耦接至该电压输出端,第三端则接地;以及

一控制电路,其输入端耦接至该电压输出端,输出端则耦接至该第一开关及第二开关的第二端。

其中该第一开关及第二开关为一电力开关,且该电力开关为N通道金属氧化半导体场效应晶体管、N通道接面场效应晶体管、P通道金属氧化半导体场效应晶体管或P通道接面场效应晶体管。

其中该第一端是该金属氧化半导体场效应晶体管的漏极,该第二端是该金属氧化半导体场效应晶体管的栅极,该第三端是该金属氧化半导体场效应晶体管的源极。

其中该控制电路为一集成电路或由若干主动或被动元件所组成的控制电路。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型的具稳压功能的同步整流电路,其控制电路可根据该电压输出端控制该开关的导通程度,以使该电压输出端维持稳定。

附图说明

本实用新型的“具稳压功能的同步整流电路”、特征及目的以附图及实例详细说明如后,其中:

图1为一示意图,其绘示本案一较佳实施例的具稳压功能的同步整流电路的方块示意图。

图2为一示意图,其绘示本案另一较佳实施例的具稳压功能的同步整流电路的方块示意图。

图3为一示意图,其绘示本案又一较佳实施例的具稳压功能的同步整流电路的方块示意图。

具体实施方式

请参照图1,其绘示本案一较佳实施例的具稳压功能的同步整流电路的方块示意图。如图所示,本实用新型的具稳压功能的同步整流电路,其包括:一变压器10;一开关20;以及一控制电路30所组合而成。

其中,该变压器10其具有一初级线圈11及一次级线圈12,该初级线圈11的输入端分别耦接至一正电压输入端(V+)及一负电压输入端(V-),此乃一般已知技术,故在此不拟重复赘述。

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