[实用新型]具有高效率侧向发光效果的发光二极管芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管芯片封装结构，尤指一种具有高效率侧向发光效果的发光二极管芯片封装结构。

背景技术

请参阅图1所示，其为现有发光二极管的第一种封装方法的流程图。由流程图中可知，现有发光二极管的第一种封装方法，其步骤包括：首先，提供多个封装完成的发光二极管(packaged LED)(S800)；接着，提供一条状基板本体(stripped substrate body)，其上具有一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negativeelectrode trace)(S802)；最后，依序将每一个封装完成的发光二极管(packaged LED)设置在该条状基板本体上，并将每一个封装完成的发光二极管(packaged LED)的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹(S804)。

请参阅图2所示，其为现有发光二极管的第二种封装方法的流程图。由流程图中可知，现有发光二极管的第二种封装方法，其步骤包括：首先，提供一条状基板本体(stripped substrate body)，其上具有一正极导电轨迹(positive electrode trace)与一负极导电轨迹(negativeelectrode trace)(S900)；接着，依序将多个发光二极管芯片(LED chip)设置于该条状基板本体上，并且将每一个发光二极管芯片的正、负极端分别电性连接于该条状基板本体的正、负极导电轨迹(S902)；最后，将一条状封装胶体(stripped package colloid)覆盖于该条状基板本体及所述的发光二极管芯片上，以形成一带有条状发光区域(strippedlight-emitting area)的光棒(light bar)(S904)。

然而，关于上述现有发光二极管的第一种封装方法，由于每一颗封装完成的发光二极管(packaged LED)必须先从一整块发光二极管封装切割下来，然后再以表面黏着技术(SMT)制程，将每一颗封装完成的发光二极管(packaged LED)设置于该条状基板本体上，因此无法有效缩短其制程时间，再者，发光时，所述的封装完成的发光二极管(packaged LED)之间会有暗带(dark band)现象存在，对于使用者视线仍然产生不佳效果。

另外，关于上述现有发光二极管的第二种封装方法，由于所完成的光棒带有条状发光区域，因此第二种封装方法将不会产生暗带(darkband)的问题。然而，因为该条状封装胶体(stripped package colloid)被激发的区域不均，因而使得光棒的光效率不佳(亦即，靠近发光二极管芯片的封装胶体区域会产生较强的激发光源，而远离发光二极管芯片的封装胶体区域则产生较弱的激发光源)。

请参阅图3所示，其为现有发光二极管应用于侧向发光的示意图。由图中可知，当现有的发光二极管芯片D应用于侧向发光时(例如：使用于笔记本电脑屏幕的导光板M的侧向光源)，由于笔记本电脑屏幕的导光板M非常薄的关系，该发光二极管芯片D的基座S1的长度l1则必须相对地缩短。换言之，由于该基座S1的长度l1太短的关系，现有的发光二极管芯片D将无法得到有效的散热效果，进而产生发光二极管芯片D因过热而烧坏的情形。

所以，由上可知，目前现有的发光二极管的封装方法及封装结构，显然具有不便与缺失存在，而待加以改善。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题，即发明目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种具有高效率侧向发光效果的发光二极管芯片封装结构。本实用新型的发光二极管结构于发光时，形成一连续的发光区域，而无暗带(dark band)及光衰减(decay)的情况发生，并且本实用新型通过芯片直接封装(Chip On Board，COB)制程并利用压模(die mold)的方式，以使得本实用新型可有效地缩短其制程时间，而能进行大量生产。再者，本实用新型的结构设计更适用于各种光源，诸如背光模块、装饰灯条、照明用灯、或是扫描仪光源等应用，皆为本实用新型所应用的范围与产品。

另外，本实用新型的封装胶体通过特殊模具的压模过程，以使得本实用新型的发光二极管芯片封装结构于直立的情况下，即可产生侧向发光的效果，因此本实用新型不会有散热不足的情况发生。换言之，本实用新型不仅可产生侧向投光的功能，更能顾到应用于薄型壳体内的散热效果。