[实用新型]半导体机台的改良结构

权利要求书

1.一种半导体机台的改良结构，其特征在于，包括：

一外盖；

一背板；

一靶材绝缘板，设置于该外盖与该背板之间；

一靶材，通过该靶材绝缘板连接于该外盖；以及

一沉积物挡板，具有一顶面，该顶面邻接且不直接接触该靶材绝缘板。

2.如权利要求1所述的半导体机台，其特征在于，该半导体机台为一晶圆沉积制程室。

3.如权利要求2所述的半导体机台，其特征在于，该沉积物挡板于一晶圆沉积制程中阻隔或吸附一第一沉积物，而该靶材绝缘板于该晶圆沉积制程中阻隔或吸附一第二沉积物。

4.如权利要求3所述的半导体机台，其特征在于，该第一沉积物与该第二沉积物皆为电传导物质。

5.如权利要求4所述的半导体机台，其特征在于，该制程室外盖为一金属所制成。

6.如权利要求5所述的半导体机台，其特征在于，该第二沉积物不电连接于该外盖。

7.如权利要求1所述的半导体机台，其特征在于，该沉积物挡板又具有一斜面，该斜面邻接于该顶面且面向于该靶材。

8.如权利要求7所述的半导体机台，其特征在于，该第一沉积物的一主要附着部分附着于该斜面上。

9.如权利要求1所述的半导体机台，其特征在于，该沉积物挡板为一电绝缘材料所制成。

10.如权利要求9所述的半导体机台，其特征在于，该电绝缘材料为陶瓷材料或高密度工程塑料。