[实用新型]改良的发光型热电效应芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光型热电效应芯片，尤其是一种以蓝宝石(Al₂O₃)基板作为冷区的改良的发光型热电效应芯片。

技术背景

发光热电效应芯片工作时总是伴随着热量的产生，发光区的温度过高时，不仅会影响其工作，还会降低发光二极管(LED)的寿命，进而影响到整个芯片。为此，现有致冷技术如图1中普遍采用将单个LED串接在一起，再在其下设置一片致冷晶片，使LED及陶瓷基板A作为冷区，陶瓷基板B作为热区的技术方案。这种技术方案的缺点是：致冷晶片需额外电源提供，因此较无致冷晶片之使用耗电.

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构相对简单、不需要外加配有额外电源的致冷晶片、可实现模块化生产的改良的发光型热电效应芯片。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：一种改良的发光型热电效应芯片，包括陶瓷基底和由蓝宝石(Al₂O₃)基板、N型接触层、P型接触层、发光层以及P型电极和N型电极组成的标准LED芯片单元，其特征在于：所述的改良的发光型热电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元，该热电效应芯片以陶瓷基底作为热区，Al₂O₃基板作为冷区，Al₂O₃基板将各LED芯片单元的N型接触层连接在一起，陶瓷基底连接导电金属板，导电金属板将前一LED芯片单元的N型电极和后一LED芯片单元的P型电极连接在一起，从而将各LED芯片单元串接在一起，并由P型焊垫和N型焊垫封闭构成整个所述的改良的发光型热电效应芯片。所述的P型焊垫从Al₂O₃基板延伸至导电金属板，N型焊垫从Al₂O₃基板延伸至N型接触层。

本实用新型去掉了现有技术中的作为冷区的陶瓷基底，代之直接以Al₂O₃基板作为冷区，从而节省了材料，降低了成本，并且不需要外加配有额外电源的致冷晶片来致冷；本实用新型的LED芯片单元采用共同的Al₂O₃基板，即通过Al₂O₃基板将各LED芯片单元的N型接触层连接在一起，相连的LED芯片单元的N电极和P电极则由导电金属板连接，从而将各LED芯片单元串接在一起，而传统发光热电效应芯片的内部采用单个的独立LED芯片，因此本实用新型的结构相对简单，可以实现模块化生产。

附图说明

图1为现有技术热电效应芯片的结构示意图

图2为本实用新型的结构示意图。

图3为标准LED的结构示意图。

图中，1为陶瓷基底，2为Al₂O₃基板，3为P型焊垫，4为N型焊垫，5为N型接触层，6为发光层，7为P型接触层，8为P型电极，9为导电金属板，10为N型接触层。

具体实施方式

本实施例中，参照图2和图3，所述的改良的发光型热电效应芯片，包括陶瓷基底1和由蓝宝石(Al₂O₃)基板2、N型接触层5、P型接触层7、发光层6以及P型电极8和N型电极10组成的标准LED芯片单元。所述的改良的发光型热电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元，该热电效应芯片以陶瓷基底1作为热区，Al₂O₃基板2作为冷区，Al₂O₃基板2将各LED芯片单元的N型接触层5连接在一起，陶瓷基底1连接导电金属板9，导电金属板9将前一LED芯片单元的N型电极10和后一LED芯片单元的P型电极8连接在一起，从而将各LED芯片单元串接在一起，并由P型焊垫3和N型焊垫4封闭构成整个所述的改良的发光型热电效应芯片。其中，P型焊垫3从Al₂O₃基板2延伸至导电金属板9，N型焊垫4从Al₂O₃基板2延伸至N型接触层10。陶瓷基底热区在芯片封装时连接到散热片，LED发光所产生的热量传递到陶瓷基底和散热片发散。