[实用新型]一种三极管引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体分立器件，特别是用于制作半导体元件的一种三极管引线框架。

背景技术

现有技术的TO-126A(行业通用型号)三极管引线框架包括芯片部、定位孔、侧翼部、中间管脚、侧管脚及中筋，该种三极管引线框架为一连续的整体结构，通过冲压工艺获得。但该种三极管引线框架有以下缺点：在对原材料进行冲压形成定位孔、侧翼部、中间管脚和侧管脚的过程中，由于材料变形时的牵引力的作用，使芯片部的平整度受到影响，从而影响了引线框架的使用性能。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，克服以上现有技术的缺点，提供一种增加引线框架芯片部的平整度，从而提高其使用性能的一种(型号为TO-126A，下同)三极管引线框架。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案为：提供一种具有以下结构的三极管引线框架，包括芯片部、定位孔、侧翼部、中间管脚、侧管脚及中筋，其特点是：所述芯片部的正面面板上的左右两侧各有一条垂直的凹槽。

采用以上结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：

由于在该种三线引线框架芯片部的左右两侧各设有一条纵向的凹槽，在冲压的过程中克服了材料变形产生牵引力从而影响芯片部平整度的缺点，保证了该种三线引线框架芯片部的平整度，从而保证了该种三线引线框架在使用中的质量和性能。

作为改进，所述凹槽纵向贯穿芯片部的正面面板的全部高度，这样使芯片部的平整度更高。

作为进一步改进，所述两条纵向的凹槽对称分布在定位孔的外侧与侧翼部的内侧之间，这样使芯片部的平整度进一步提高。

作为更进一步改进，所述两凹槽的横截面呈正面为开口的矩形，同样是进一步提高芯片部的平整度。

作为再进一步改进，所述两凹槽的深度相同，两凹槽的宽度也相同，这样更进一步保证了芯片部的平整度。

附图说明

图1是本实用新型一种三极管引线框架的结构示意图。

图2是沿图1中A-A线的剖视结构示意图。

图3是现有技术的一种三极管引线框架结构示意图。

图中所示 1、芯片部，2、定位孔，3、侧翼部，4、侧管脚，5、中间管脚，6、中筋，7、凹槽。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

在图3中，现有技术的TO-126A(行业通用型号)三极管引线框架的芯片部1呈垂直的长方形，其四个角均为圆弧形。定位孔2设于芯片部1的横向中间及纵向垂直靠上的位置。两侧翼部3在垂直的长方形芯片部1的两侧，其两自由端对称向前凸起，其凸起部与芯片部1正面面板的平面夹角为90～110度。中间管脚5从芯片部1底端的横向中间向下垂直延伸，水平的中筋6与中间管脚5互为90度。与中间管脚5平行的两侧管脚4对称地设于中间管脚5的左右两侧，两侧管脚4的上端均有一其宽度大于侧管脚4宽度的头部(3个管脚下面还有部分引线框架的结构没表示出来，因为与本实用新型无关，所以下面打了斜线，表示省略)。该引线框架为一连续的整体结构。

如图1、图2所示，本实用新型的一种即TO-126A三极管引线框架是对上述现有技术的TO-126A三极管引线框架的改进，其芯片部1、定位孔2、侧翼部3、中间管脚5、侧管脚4及中筋6的结构即形状及其连接关系均与以上现有技术的相同。

本实用新型的一种三极管引线框架的特点是，所述芯片部1的正面面板上的左右两侧各有一条垂直的凹槽7。所述凹槽7纵向贯穿芯片部1的正面面板的全部高度，所述两条纵向的凹槽7对称分布在定位孔2的外侧与侧翼部的内侧3之间，所述两凹槽7的横截面呈正面为开口的矩形即为“”形，所述两凹槽7的深度相同(一致)，两凹槽7的宽度也相同。两凹槽7的深度一般为0.05～0.2mm、两凹槽7的宽度一般为0.3～0.5mm。所述两凹槽7与三极管引线框架同时一次性整体冲压成型。

本实用新型的具体结构允许有变化，如：所述凹槽7可不纵向贯穿芯片部1的正面面板的全部高度；所述两条纵向的凹槽7也可不严格的对称分布；所述两凹槽7的横截面也可以是正面为开口的矩形以外的其它形状；所述两凹槽7的深度和宽度也可稍有偏差；两凹槽7的深度和宽度也可以是其它尺寸等。这些变化均落入本实用新型的保护范围内。