[实用新型]无创颅内压监测设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及颅内压监测设备，特别是指一种基于经颅多普勒的无创颅内压监测设备。

背景技术

颅内压(intracranial pressure，ICP)增高是临床中常见的综合征，ICP增高可使患者出现意识障碍，严重者出现脑疝，并可在短时间内危及生命。因此，ICP监测是颅脑疾病治疗的重要前提。ICP监测可帮助判断外伤性脑损伤或其他颅内病变患者的严重程度，帮助早期发现颅内占位性病变，指导降低ICP的治疗选择等。此外，ICP监测还可协助诊断脑死亡。

临床上采用的ICP监测多为有创性方法，最早的ICP检测方法为腰椎穿刺测压法并延用至今。由于本方法所测得的为瞬时ICP而非压力的动态变化过程且易受多种因素干扰，因此目前多以治疗为目的。1951年开始应用侧脑室穿刺法直接测量ICP，1960年实现有创连续ICP监测。此后，有创性ICP监测的理论和方法不断发展。由于有创监测可较准确地反映ICP水平，因此对颅内高压性疾病的诊断和治疗具有重要意义。目前，有创ICP监测仪已具备多种转换器，除脑室内ICP监测外，又出现了硬脑膜外、脑实质内和多功能ICP探头，转换器也向小型化发展。但由于有创监测存在技术条件要求高、操作繁杂、并发症较多(颅内感染、脑脊液漏、颅内出血、脑疝等；各种并发症的总发生率为10-25％)和不适宜长期监测等弊端，因此应用范围受到限制，仅在神经外科的部分患者中使用。目前多数ICP增高的患者仍沿用临床经验推测患者颅内压力，这必然导致病情判断有失准确和降颅压药物的使用混乱。

为了扩大ICP监测的应用范围，寻找无创、准确的监测方法已为临床医疗所急需。近年，无创监测的相关理论和仪器开发研究多有报道，并有一些无创ICP监测设备投入临床使用，但因监测精度、监测途径的局限性等原因使其应用规模极小。目前的无创ICP监测技术包括以下五种：

1、闪光视觉诱发电位(f-VEP)检测ICP：当ICP升高时，f-VEP的N2潜伏期延长(N2为f-VEP波形中的一种成分，已发现当出现N2波的潜伏期延长时，表明各种原因引起的视觉通路的损害，其中包括ICP增高)，N2潜伏期与ICP呈正相关，与脑灌注压(cerebral perfusiong pressure，CPP)呈负相关。本方法的局限性在于：(1)当ICP＞300mmH₂O时，f-VEP易受与脑代谢有关因素的影响，如动脉二氧化碳分压、动脉氧分压、低血压、pH值等均会对其产生影响。某些疾病引起的全身代谢紊乱也能影响f-VEP，如肝性脑病。(2)严重视力障碍和眼底出血等眼部疾病对f-VEP存在影响。(3)视觉传导通路的损伤也会影响f-VEP，如双侧额叶血肿、视网膜震荡伤、眼后房积血、视神经挫伤及颅内占位性病灶压迫、破坏视觉通路时，f-VEP检测值明显高于真实水平。(4)部分深昏迷患者和脑死亡者f-VEP不出现波形。(5)f-VEP潜伏期还受年龄因素影响，60岁以上患者随着年龄的增长潜伏期会延长。因此，f-VEP无创监测ICP仍有很多问题有待深入研究，如：精确性有待提高，不同病种f-VEP曲线可能有差异，作为无创监测方法，f-VEP监测ICP的影响因素有哪些，如何控制等。基于该方法的无创ICP监测仪虽已投入使用，但因存在以上严重缺陷而影响了其应用规模。

2、生物电阻抗法检测ICP：阻抗分析仪测量显示，脑阻抗脉冲波幅度在高ICP时较ICP正常时有较大增加，ICP与脑阻抗之间具有相关性。因此，脑阻抗脉冲波幅的大小可作为ICP是否增高的判断依据。但该方法由于以下原因而不能准确测量ICP值：(1)引起阻抗变化的原因复杂，除了脑脊液、脑血流等主要因素外，其它部分组织的电导率变化也会影响脑部的电场分布，使阻抗测量不可避免地有一定差异。(2)脑阻抗与ICP并没有直接联系，不同患者，不同病情，容积代偿能力的不同，在ICP相同时测出的阻抗值也大不一样。(3)易受颅内出血、头皮血肿、颅骨骨折、颅骨厚度等因素影响。所以目前临床应用规模小，前景不光明。

3、视网膜静脉压检测ICP：本方法是于1925年提出的，用视网膜静脉压来评价ICP，利用吸杯负压式视网膜血管血压测定法测定视网膜中央静脉压。比较ICP和视网膜中央静脉压的关系，两者有明显的线性相关。该方法为测定瞬间ICP的方便、实用、可重复的检测方法，但不适合长期监测，使用范围受限制，因此直未获得重视，也未能投入使用。