[实用新型]一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路无效

专利信息
申请号: 200720094413.6 申请日: 2007-09-28
公开(公告)号: CN201118535Y 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 王自力;孙大军;司崇占;梁一子;张海龙;王志成;赵萌 申请(专利权)人: 吉林大学中日联谊医院;王自力;孙大军;梁一子
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 代理人: 魏征骥
地址: 130033吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 栅极 晶体管 驱动 电路
【权利要求书】:

1、一种半桥MOS栅极晶体管驱动电路,其特征在于:高端驱动辅助电源与高端驱动电路连接,低端驱动辅助电源与低端驱动电路连接,高端驱动电路与高端MOS栅极功率开关连接,低端驱动电路与低端MOS栅极功率开关连接。

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