[实用新型]基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器无效
| 申请号： | 200720093943.9 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN201112423Y | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李文连;孔治国;车广波;初蓓;毕德锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 磷光 材料 二极管 有机 紫外光 光学 传感器 | ||
1. 一种基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，其特征在于为层状结构，由衬底至电子收集电极，依次为衬底、空穴收集电极层、电子给体层、电子受体层、电子收集层、电子收集电极层；电子给体层厚度为5～20nm，电子给体采用的材料为二胺衍生物；电子受体层厚度为20～40nm，电子受体采用的材料为铱、铂、锇或铼的配合物；电子收集层采用的材料为LiF或CsF，电子收集层厚度为0.8～3nm；电子收集电极层采用的材料为Al，电子收集电极层厚度为100～150nm。
2. 根据权利要求1所述的基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，其特征在于电子给体材料选用TPD或m-MTDATA；电子受体材料选用Ir(ppy)3或Btp2Ir(acac)。
3. 根据权利要求1所述的基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，其特征在于电子给体层厚度为10nm、6nm、15nm或20nm。
4. 根据权利要求1所述的基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，其特征在于电子受体层厚度为20nm、30nm、40nm、25nm或35nm。
5. 根据权利要求1所述的基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，其特征在于电子收集层厚度是0.8nm、1.5nm、2.5nm。
6. 根据权利要求1所述的基于磷光材料光伏二极管的有机紫外光光学传感器，其特征在于电子收集电极厚度为100nm、120nm、150nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
