[实用新型]一种实现TD_SCDMA大功率高隔离射频开关的电路有效
| 申请号： | 200720084988.X | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN201057642Y | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王峰;俞泉;张雪 | 申请（专利权）人： | 武汉虹信通信技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H04B7/005 | 分类号： | H04B7/005;H04B7/26 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 唐正玉 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 td_scdma 大功率 隔离 射频 开关 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现TD_SCDMA大功率高隔离射频开关的电路，其特征在于：此开关的公共端与环行器的一端相连，另外的两端，一端与耦合器相连，一端与低噪声放大器的输入相连，在射频开关的两个支路，分别并联两级PIN二极管，其中，耦合器的输出端与大功率负载相连，其耦合端做反向功率检测端。
2.根据权利要求1所述的实现TD_SCDMA大功率高隔离射频开关的电路，其特征在于：TD_SCDMA大功率高隔离射频开关的电路射频通道的搭建，在两个射频通道分别采用两个对称PIN二极管级联的电路拓扑。
3.根据权利要求1所述的实现TD_SCDMA大功率高隔离射频开关的电路，其特征在于：PIN二极管驱动电路的实现：采用两个P沟道的MOS管、一个非门以及两个电阻，将-12V各通过一个大的电阻串接在两个MOS管的漏极上，两个MOS管的源极接+5V，一个MOS管的栅极直接与TTL控制电平相连，TTL控制电平经过非门以后与另一个MOS管的栅极相连。
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