[实用新型]电机抱闸线圈控制电路无效
申请号: | 200720076133.2 | 申请日: | 2007-11-13 |
公开(公告)号: | CN201118495Y | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 唐惠臣;孙欣 | 申请(专利权)人: | 上海宝钢设备检修有限公司 |
主分类号: | H02P3/06 | 分类号: | H02P3/06;H02H7/08 |
代理公司: | 上海天协和诚知识产权代理事务所 | 代理人: | 徐泰 |
地址: | 201900上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电机 线圈 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及电机的控制电路,尤其涉及一种电机抱闸线圈的控制电路。
背景技术
电机是各类机组运行的动力部分,其制动大多采用电机内的抱闸线圈带动电机内的制动系统来予以实现,通常抱闸线圈需在长时间、大电流的情况下实现抱闸和维持抱闸,由此抱闸线圈将产生过热现象,并致电机或机组产生故障,严重的引起各类事故,抱闸线圈的大电流运行也增加了能耗;为此技术人员在抱闸线圈的过热和节能方面采取了一定的措施,对功率较大的电机的抱闸线圈,采用线圈抽头的方法,也就是在抱闸初始阶段,用一组低阻抗线圈执行大电流工作,来保证抱闸动作的实现,当抱闸动作完成后,再通过由交流接触器与时间继电器组合的延迟控制电路,在同等电压下延迟切换到高阻抗线圈减小电流以维持抱闸吸合的工作状态,从而避免了抱闸线圈在长期大电流工作状况下产生的过热现象,也即抱闸双线圈控制方式。但是,中小功率电机没有考虑这方面问题,只采用了单线圈控制。单线圈控制的抱闸,在环境温度偏高的情况下,易引起电机烧毁或抱闸线圈烧毁的现象。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种电机抱闸线圈的控制电路,其能有效实现大电流抱闸、小电流维持的功能,有效解决抱闸线圈过热的问题并节约能源。
为解决上述技术问题,本实用新型的电机抱闸线圈控制电路,包括一个双向可控硅,与所述双向可控硅连接并控制双向可控硅导通或截止的双向触发二极管,所述双向可控硅两端并联一第三电阻,本电路还包括第一整流桥堆,该第一整流桥堆的两输出端并联第一电容和第一电阻,所述第一整流桥堆的两输入端一端与所述双向可控硅的一端连接,其另一端依次串接第二电阻和第二电容,所述第二电容的另一端与所述双向可控硅的另一端连接,所述双向触发二极管的另一端连接在第二电阻与第二电容之间。
所述控制电路的双向可控硅两端串联于电机抱闸线圈与电源间。
本控制电路还包括第二整流桥堆,所述电机抱闸线圈两端并联一滤波电容和续流二极管,并连接至第二整流桥堆的直流输出端,所述续流二极管的正极连接所述第二整流桥堆的直流输出端的负极,所述续流二极管的负极连接所述第二整流桥堆的直流输出端的正极,所述第二整流桥堆的交流输入端串接于所述双向可控硅与交流电源之间。
由于本实用新型电机抱闸线圈控制电路采用了上述技术方案,即在抱闸初始阶段通过对双向可控硅的控制,使双向可控硅全导通,给电机抱闸线圈提供大电流以实现电机的抱闸,在电机抱闸动作实现后,调整双向可控硅的导通给电机抱闸线圈提供能维持抱闸的小电流,从而降低电机抱闸线圈的热量,同时使用小电流维持抱闸也降低了能耗。
附图说明
下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明:
图1为本实用新型中小功率电机的抱闸线圈控制电路的原理图,
图2为本实用新型大功率电机抱闸线圈的控制电路的原理图。
具体实施方式
图1为本实用新型中小功率电机的抱闸线圈控制电路的原理图,其包括一个双向可控硅1,与所述双向可控硅1连接并控制双向可控硅1导通或截止的双向触发二极管2,所述双向可控硅1两端并联一第三电阻3,本电路还包括第一整流桥堆4,该第一整流桥堆4的两输出端并联第一电容5和第一电阻6,所述第一整流桥堆4的两输入端一端与所述双向可控硅1的一端连接,其另一端依次串接第二电阻7和第二电容8,所述第二电容8的另一端与所述双向可控硅1的另一端连接,所述双向触发二极管2的另一端连接在第二电阻7与第二电容8之间。
本电路的第一整流桥堆4和第一电容5组成充电式延迟电路,第一电阻6是第一电容5两端的充电吸收电阻,调整第一电阻6的大小可以决定第一整流桥堆4输入两端的等效电阻,即调整充放电时间;本电路在初始得电时,第一整流桥堆4输入两端等效电阻呈现很小,交流电源在正半周时,电源电流流经第一整流桥堆4、第一电容5、第一电阻6、第二电阻7和第二电容8,并对第一电容5和第二电容8充电,在选取电容元件时,第一电容5的电容值大于第二电容8,因此第二电容8很快充电至触发二极管2导通的电压,此时双向可控硅1处于正向导通状态,由于第二电阻7选取阻值较小,对第二电容8两端充电并达到正向放电触发时间很短,可以视为第二电容8两端的电压与双向可控硅1两端电位升高的时间基本同步,为此双向可控硅1处于正半周全导通状态。
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