[实用新型]采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件无效
| 申请号： | 200720067355.8 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN201017889Y | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 邵光平 | 申请（专利权）人： | 上海富华微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所 | 代理人： | 沈美英 |
| 地址： | 200122上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 psg 掺杂 技术 vdmos igbt 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件，由金属底层(1)、N+衬底层(2)(在IGBT功率器件中为P+衬底层)、N-外延层(3)、P-区(4)、P+区(5)、N+区(6)、热氧化SiO2栅氧层(7)、多晶硅栅层(8)、源栅隔离层(9)和热氧化SiO2栅氧层(7)金属表层(10)组成，其特征在于源栅隔离层(9)由磷硅玻璃PSG层(11)以单层的结构形式充任。
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