[实用新型]记忆卡连接器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种记忆卡转接器，特别是指一种可提供TF储存卡(Trans Flash Card)读取资料时所需的记忆卡连接器。

背景技术

随着科学技术的日趋发达，计算机及电子相关产品朝轻、薄、短、小的方向发展，使得其中一些诸如记忆卡连接器等不可或缺之必备组件便需大幅缩小体积，而则对应的记忆卡也须随之小型化，进而当今所推出的TF储存卡(Trans Flash Card)而言，自然成为目前世界上最小的闪存卡，约为SD卡(Secure Digital Card)的1/4，其主要是为照像手机拍摄大幅图像以及能够下载较大的视频片段而开发研制的，可以广泛应用于储存个人数据，例如数字照片、MP3、游戏及用于手机的应用和个人数据等，越来越受到人们的青睐。

当今，市面上出现的TF储存卡连接器通常由上盖、包覆体以及下盖构成(可参阅中国专利ZL200520005841.8所公开的工作原理)，对于习用技术中的下盖前、后端缘的周边而言均呈直角突起状，而与之配合的上盖前、后端缘同样呈直角状，故两者之间在通过高周波方式结合时，会产生细小的间隙，从而致使其结构稳定性差(如结合不牢固)，也会影响到其功能使用性(如讯号不顺畅)，因此，如何改良势为必要。

实用新型内容

本实用新型针对上述习用技术所存在之缺失，主要目的在于提供一种记忆卡连接器，其在上盖、下盖结合位置处采用倾斜面结合方式，有利于高周波作业时增强两者之间结构稳定性，提高产品功能使用性。

为实现上述之目的，本实用新型采取如下技术方案：

一种记忆卡连接器，包括上盖、下盖以及包覆于上盖、下盖之间的端子埠，该上盖与下盖之间以高周波方式结合，所述下盖的前端周缘和后端周缘设置有内侧壁呈倾斜状的突起，该前端周缘的突起设于开口的两侧；该上盖与下盖的开口之间组配成一记忆卡插接口，且上盖的前端周缘和后端周缘分别对应与下盖所设之突起相配合的位置处设置有可助于高周波紧密配合作业用的倾斜面。

上盖呈平板状，其前端和后端均被包于下盖内。

本实用新型与习用技术相比，其有益效是通过在上盖、下盖结合位置处采用倾斜面结合方式替代习用的直角面结合方式，有利于高周波作业时增强两者之间结构稳定性，提高产品功能使用性。

附图说明

图1是本实用新型立体分解结构示意图；

图2是本实用新型另一视角立体分解结构示意图；

图3是本实用新型立体组合结构示意图；

图4是本实用新型插卡状态结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型进一步说明。

请参阅图1至图3所示，一种记忆卡连接器，包括上盖1、下盖2以及包覆于上盖1、下盖2之间的端子埠3，其中：

该上盖1呈平板状，与其下盖2以高周波方式结合进行组配，所述下盖2的前端周缘21设置有内侧壁呈倾斜状的突起211，而后端周缘22同样设置有内侧壁呈倾斜状的突起221；所述前端周缘的突起211设于开口23的两侧；即上盖1的前端周缘11和后端周缘12分别对应与下盖2所设之突起211、221相配合的位置处设置成倾斜面13，该倾斜面13是为了配合各突起内侧壁的斜面所作之设计，可助于高周波紧密配合作业；该上盖1与下盖2的开口23之间组配成一记忆卡插接口4；该上盖1与下盖2通过高周波作业后上盖1的前端和后端均被包于下盖2内；位于上盖1、下盖2组配一侧嵌设有一滑块5等构件，因其余结构为习有技术，在此不作详述。

端子埠3安置于下盖2后端的凹位24中，其包括有相应的讯号端子组31，用以对接TF储存卡(Trans Flash Card)时，起到讯号转接作用，此乃为习用技术，亦不多予赘述。

再结合图4所示，TF储存卡(Trans Flash Card)6沿本实用型上盖1、下盖2配合形成的插接口4插入，使之与端子埠3的端子组31电连接，从而达到提供TF储存卡读取资料所用，其讯号转接原理为习用技术。

本实用新型设计重点在于通过在上盖、下盖结合位置处采用倾斜面结合方式替代习用的直角面结合方式，有利于高周波作业时增强两者之间结构稳定性，提高产品功能使用性。

以上所述，仅是本实用新型一种记忆卡连接器较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。