[实用新型]新型抗反射导电膜无效
| 申请号: | 200720049795.0 | 申请日: | 2007-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN201166713Y | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
| 发明(设计)人: | 郭爱军 | 申请(专利权)人: | 郭爱军 |
| 主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510410广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 新型 反射 导电 | ||
1、新型抗反射导电膜,其特征在于所述抗反射导电膜附着在透明基材(S)上,所述抗反射导电膜是至少包含有高折射率层(H)、低折射率层(L)和透明导电膜(T),所述高折射率层(H)指波长在530nm-570nm时,折射率指数在2.1-2.4的膜层材料,所述低折射率层(L)指波长在530nm-570nm时,折射率指数在1.4-1.5膜层材料,所述透明导电膜(T)指波长在530nm-570nm时,折射率指数在1.85-1.95具有弱吸收的膜层材料,而且所述抗反射导电膜的结构是以下七种膜结构中的一种:
第一种膜结构的特征在于:在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H),低折射率层(L),其中一面的最外层为透明导电膜(T);高折射率层(H)的厚度在5nm至30nm之间,低折射率层(L)的厚度在60nm至120nm之间,透明导电膜(T)的厚度在5nm至40nm之间,这种排列形式的膜结构记录为L/H/S/H/L/T型;
第二种膜结构的特征在于:在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H),低折射率层(L),高折射率层(H),低折射率层(L),且在透明基材(S)的一面的最外层为透明导电膜(T),这种排列形式的膜结构记录为(L/H)2/S/(H/L)2/T型;组成这种9层复合膜的各膜层的厚度依次为:低折射率层(L)80-120nm,高折射率层(H)5-30nm,低折射率层(L)5-40nm,高折射率层(H)5-30nm,高折射率层(H)5-30nm,低折射率层(L)5-40nm,高折射率层(H)5-30nm,低折射率层(L)50-90nm,透明导电膜(T)5-40nm;
第三种膜的排列结构中还包含中折射率(M),所述的中折射率层(M)是指波长在530nm-570nm时,折射率指数在1.6-1.7的膜层材料;第三种膜结构的特征在于:在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H),中折射率层(M),低折射率层(L),其中一面的最外层为透明导电膜(T);高折射率层(H)的厚度在5nm至30nm之间,低折射率层(L)的厚度在60nm至120nm之间,中折射率层(M)的厚度在5nm至40nm之间,透明导电膜(T)的厚度在5nm至40nm之间,这种排列形式的膜结构记录为L/M/H/S/H/M/L/T型。
2、根据权利要求1所述抗反射导电膜,其特征在于所述透明基材(S)为玻璃或光学塑料,特别是光学玻璃,或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、或聚碳酸酯(PC)、或聚对苯二甲酸乙醇酯(PET),在波长380nm-780nm范围内为透明,其折射率要求为1.40-1.70。
3、根据权利要求1所述抗反射导电膜,其特征在于所述高折射率层(H)在波长380nm-780nm范围内透明无吸收。
4、根据权利要求1所述抗反射导电膜,其特征在于所述低折射率层(L)在波长380nm-780nm范围内透明无吸收。
5、根据权利要求1所述抗反射导电膜膜,其特征在于所述中折射率层(M)其在波长380nm-780nm范围内透明无吸收。
6、根据权利要求1所述抗反射导电膜,其特征在于透明导电膜(T)是下列氧化物中的一种或者是它们之间的混合物,所述氧化物是指:氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、掺氟氧化锡(SnO2:F)、掺砷氧化锡(SnO2:Sb)、掺铝氧化锌(ZnO:Al)、氧化铟锌(In2O3:ZnO)、氧化锡锌(SnO2:ZnO)以及氧化铟镁(In2O3:MgO)。
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