[实用新型]RF输出超时保护器无效
| 申请号： | 200720044081.0 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN201117638Y | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘加琪;查永强;蒋民峰;单玉才;周世峰 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;H02H5/00;G08B7/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 地址： | 215025江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rf 输出 超时 保护 | ||
【权利要求书】：
1.RF输出超时保护器，包括计时系统、数字信号处理器和若干I/O端口，其特征在于：所述的RF输出超时保护器装设于控制计算机朝向射频功率发生器的信号传输路径中，并且与射频功率发生器的反馈信号输出端相连接。
2.根据权利要求1所述的RF输出超时保护器，其特征在于：所述保护器装设的具体连接方式为：
所述保护器的一个I/O端口(44a)与控制计算机的信号输出端相连接；
所述保护器的另一个I/O端口(44b)与射频功率发生器的反馈信号输出端相连接；
所述保护器的又一个I/O端口(44c)与射频功率发生器的使能信号接收端相连接。
2.根据权利要求1所述的RF输出超时保护器，其特征在于：所述的计时系统嵌设于I/O端口(44b)与数字信号处理器之间。
3.根据权利要求1所述的RF输出超时保护器，其特征在于：所述的计时系统为高电平计时、低电平清零。
4.根据权利要求1所述的RF输出超时保护器，其特征在于：该保护器还包含一声光报警装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
