[实用新型]陈列封装式半导体浪涌防护器件无效
| 申请号： | 200720037872.0 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN201051500Y | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 汪劲松;范文龙 | 申请（专利权）人： | 常熟通富电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488;H01L23/36;H01L23/62 |
| 代理公司： | 常熟市常新专利商标事务所 | 代理人： | 朱伟军 |
| 地址： | 215534江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陈列 封装 半导体 浪涌 防护 器件 | ||
1.一种陈列封装式半导体流浪涌防护器件，它包括基体(1)，该基体(1)包括芯片(11)和分别结合在芯片(11)两侧的一对第一、第二电极(12)、(13)以及用于将基体(1)与电路连接的一对第一、第二插脚(3)、(4)，其特征在于还包括有至少一个叠加基体(2)，该叠加基体(2)包括一叠加芯片(21)和分别结合在叠加芯片(21)两侧的一对第一、第二叠加电极(22)、(23)，其中：第二电极(13)与第一叠加电极(22)相贴合，所述的第一、第二插脚(3)、(4)分别与第一电极(12)和第二叠加电极(23)的外侧贴合。
2.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的芯片(11)、叠加芯片(21)的材料为单晶硅，单晶硅的厚度为0.1～0.5mm。
3.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的芯片(11)、叠加芯片(21)的形状、大小是相同的。
4.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二电极(12)、(13)以及所述的第一、第二叠加电极(22)、(23)的材料为金属。
5.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二电极(12)、(13)以及所述的第一、第二叠加电极(22)、(23)的形状大小是相同的。
6.根据权利要求4或5所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二电极(12)、(13)以及所述的第一、第二叠加电极(22)、(23)的厚度各为0.15～0.5mm。
7.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的结合为高温锡焊结合，所述的贴合为高温锡焊贴合。
8.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的叠加基体(2)的数量为1-10个。
9.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的叠加基体(2)的数量为3-10个。
10.根据权利要求1所述的陈列封装式半导体流浪涌防护器件，其特征在于所述的第一、第二插脚(3)、(4)上所延伸出的第一、第二插脚接线耳(31)、(41)的形状为直条形或弯曲形。
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