[实用新型]锑化铟霍尔元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种霍尔元件。

背景技术

现在在市场上的锑化铟(InSb)霍尔元件通常是使用两次光刻，在光刻“十”字形锑化铟(InSb)感知膜表面再光刻金电极图形，在“十”字形锑化铟感知膜表面没有任何保护，这样的霍尔元件稳定性差，锑化铟感知膜容易损伤。

发明内容

为了克服上述缺陷，本实用新型提供一种锑化铟霍尔元件，这种锑化铟霍尔元件感知膜不会损伤、性能稳定且成本较低。

本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术问题是：一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，“十”字形锑化铟感知膜上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸，以便于“十”字形锑化铟感知膜的四端露出于“十”字形液体树脂保护膜之外与金电极相接。

“十”字形液体树脂保护膜的“十”字宽度大于“十”字形锑化铟感知膜的“十”字宽度，可更好地保护“十”字形锑化铟感知膜。

本实用新型的有益效果是：由于十”字形锑化铟感知膜表面加上一层“十”字形液体树脂(PIX)保护膜，对“十”字形锑化铟感知膜表面起到保护作用，这样“十”字形锑化铟感知膜就不易损坏，保证霍尔元件稳定的特性；又加液体树脂(PIX)保护膜的方法与加锑化铟感知膜类似，因此简单易行，不需另行增加生产设备，成本较低。

附图说明

图1为本实用新型所述十”字形锑化铟感知膜和“十”字形液体树脂保护膜叠加示意图；

图2为本实用新型的示意图。

具体实施方式

实施例：一种锑化铟霍尔元件，主要由镍锌材料基板、二氧化硅绝缘层、“十”字形锑化铟感知膜和金电极组成，“十”字形锑化铟感知膜1上覆盖有“十”字形液体树脂保护膜2，“十”字形液体树脂保护膜图形尺寸稍小于“十”字形锑化铟感知膜图形尺寸，以便于“十”字形锑化铟感知膜的四端露出于“十”字形液体树脂保护膜之外与金电极3相接。

“十”字形液体树脂保护膜的“十”字宽度大于“十”字形锑化铟感知膜的“十”字宽度，可更好地保护“十”字形锑化铟感知膜。

本实用新型制造方法如下：

锑化铟高灵敏度型霍尔器件芯片的生产原材料是从日本进口的镍锌材料基板，直径60mm、厚度是0.3mm，经过涂料工艺(旋转涂料机)或者溅射工艺在圆片表面生成二氧化硅(SiO₂)，形成绝缘层，在绝缘层表面使用日本ULVAC公司的蒸膜机蒸着一层锑化铟(InSb)导电层，锑化铟导电层的性能直接影响锑化铟高灵敏度型霍尔器件的特性，所以在蒸着是对InSb和Sb的重量比例(比例是8∶1)、真空度(6×10⁴pa以下)和热处理温度(根据产品外观及特性来调整)等条件都有相当严格的要求，蒸着完成的芯片进行锑化铟(InSb)导电层性能测试，对不同性能的芯片进行档次分类，不同档次的芯片用不同尺寸的锑化铟(InSb)导电层图形来进行校正，所其性能尽量达到一致；

进行锑化铟(InSb)导电层光刻、在光刻前预先在蒸着完成的InSb表面旋转涂布一层光刻胶(5500rpm、37.5sec)，90℃烘干以后进行“十”字形锑化铟感知膜光刻。光刻好的产品在与光刻胶相配套的显像液中显像(显像液∶水＝1∶1、液体温度＝24℃～26℃、显像时间＝80秒)，在光刻时照到紫外线的地方，光刻胶进行清洗掉，留下“十”字形的光刻胶图形。90℃烘干以后进行第一次腐蚀，第一腐蚀液是乳酸∶硝酸＝5∶1(体积比)、腐蚀液温度＝27℃～29℃、腐蚀时间＝240sec，没有光刻胶的地方锑化铟感知膜就会腐蚀掉，只留下“十”字形的光刻胶图形和其底下的“十”字形锑化铟感知膜。然后进行第二次腐蚀，第二次腐蚀是对第一次腐蚀的图形进行完整修补，第二腐蚀液是盐酸，时间＝300sec。第二次腐蚀以后在丙酮中进行光刻胶清除，就形成“十”字形锑化铟感知膜；