[实用新型]槽型等离子体显示板维持驱动电路无效
申请号: | 200720036017.8 | 申请日: | 2007-04-26 |
公开(公告)号: | CN201035942Y | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
发明(设计)人: | 郑姚生;王保平;朱立锋;汤勇明 | 申请(专利权)人: | 南京华显高科有限公司 |
主分类号: | G09G3/28 | 分类号: | G09G3/28;G09G3/22;G09G3/20 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 夏平;瞿网兰 |
地址: | 210061江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示 维持 驱动 电路 | ||
1.一种槽型等离子体显示板维持驱动电路,其特征是它主要由电压控制驱动电路(1)、正电压维持电压脉冲发生器(2)、正电压能量恢复保持电路(3)、负电压维持电压脉冲发生器(4)、负电压能量恢复保持电路(5)、行IC芯片保护电路(6)、PDP高压行驱动IC芯片(7)组成,正电压维持电压脉冲发生器(2)一个输入端、正电压能量恢复保持电路(3)的输入端、负电压维持电压脉冲发生器(4)的一个输入端、负电压能量恢复保持电路(5)的输入端和PDP高压行驱动IC芯片(7)的一个输入端分别与电压控制驱动电路(1)对应的输出端相连,行IC芯片保护电路(6)的三个输入端中一个与电压控制驱动电路(1)的输出端相连,一个与正电压维持电压脉冲发生器(2)的一个输出端相连,另一个与负电压维持电压脉冲发生器(4)的一个输出端相连,行IC芯片保护电路(6)的输出端接PDP高压行驱动IC芯片(7)的一个输入端,正电压能量恢复保持电路(3)的输出接正电压维持电压脉冲发生器(2)的另一个输入端,负电压能量恢复保持电路(5)的输出端接负电压维持电压脉冲发生器(4)的另一个输入端,正电压维持电压脉冲发生器(2)的另一个输出端以及负电压维持电压脉冲发生器(4)的另一个输出端也与PDP高压行驱动IC芯片(7)对应的输入端相连,PDP高压行驱动IC芯片(7)的输出端接槽型等离子体显示板(8)。
2.根据权利要求1所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路,其特征是所述的电压控制驱动电路(1)主要由可编程逻辑芯片和场效应管驱动芯片组成,可编程逻辑芯片产生的脉冲信号经场效应管驱动芯片放大后产生能驱动后续各电路中的场效应管工作的脉冲信号:XEFH、XEFL、XHU、XPZH、XPZL、XFU、XNEL、XNEH、XAEH、XAEL、XSU,它们分别为正维持电压控制脉冲信号、正维持电压归零控制脉冲信号、打开M3控制脉冲信号、负维持电压归零控制脉冲信号、负维持电压控制脉冲信号、打开M6控制脉冲信号、正电压储能电容充电开启信号、正电压储能电容放电开启信号、负电压储能电容充电开启信号、负电压储能电容放电开启信号、打开M11控制脉冲信号。
3.根据权利要求1所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路,其特征是所述的正电压维持电压脉冲发生器(2)主要由场效应管M1、M2、M3、M11组成,正电压维持电压脉冲发生器3的输入从M1、M2、M3、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出,由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XEFH、XEFL、XHU、XSU给对应的场效应管M1、M2、M3、M11,其输出从M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
4.根据权利要求1所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路,其特征是所述的正电压能量恢复保持电路(3)主要由场效应管M3、M7、M8、M11、电感L1、二极管D3、D4、电容C1组成,正电压能量恢复保持电路4的输入从M3、M7、M8、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出,由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XHU、XNEL、XNEH、XSU脉冲信号给对应的场效应管M4、M7、M8、M11,其输出从L1的一端引出分别接正电压维持电压脉冲发生器2中的场效应管M2、M3的漏极和场效应管M1的源极,再从场效应管M3的源极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的接地端和场效应管M11的源极端。
5.根据权利要求1所述的槽型等离子体显示板维持驱动电路,其特征是所述的负电压维持电压脉冲发生器(4)主要由场效管M4、 M5、M6、M11组成,负电压维持电压脉冲发生器4的输入从M4、 M5、M6、M11的栅极引出接电压控制电路1的输出即场效应管驱动芯片的输出,由场效应管驱动芯片在可编程逻辑芯片的控制下分别输出XPZH、XPZL、XFU、XSU给对应的场效应管M4、 M5、M6、M11,其输出从M6的漏极引出分别接PDP高压驱动IC芯片7的电源端和场效应管M11的漏极端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华显高科有限公司,未经南京华显高科有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720036017.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:视频流数据的缓冲
- 下一篇:具有条纹地板外观的镶板