[实用新型]单晶炉勾形电磁场装置无效
| 申请号： | 200720032811.5 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN201106071Y | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 安涛;高勇;李守智;李波 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶炉勾形 电磁场 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种单晶炉勾形电磁场装置，炉腔体(4)内设置有石磨加热器(6)，石磨加热器(6)内设置有石磨套(7)，石磨套(7)内设置有坩锅(8)，其特征在于：在单晶炉炉腔体(4)的外周设置有屏蔽体(2)，屏蔽体(2)的内侧上端安装有线圈a(1)，屏蔽体(2)的内侧下端安装有线圈b(3)。
2、如权利要求1所述的单晶炉勾形电磁场装置，其特征在于：所述的线圈a(1)与线圈b(3)的匝数、线圈半径、纵向和轴向层数、导线面积以及线包的绕制方式相同。
3、如权利要求1所述的单晶炉勾形电磁场装置，其特征在于：所述的线圈a(1)和线圈b(3)是螺旋管直流线圈。
4、如权利要求1所述的单晶炉勾形电磁场装置，其特征在于：所述的线圈a(1)和线圈b(3)由空心方紫铜管密绕而成。
5、如权利要求1所述的单晶炉勾形电磁场装置，其特征在于：所述的屏蔽体(2)选用高磁导率的DT4E型纯铁材料。
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