[实用新型]一种中子管二次抑制极抑制电压产生电路无效
| 申请号： | 200720031121.8 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN201018711Y | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 汪永安;张德民;杨联会;董谦;杨连会;石丽云 | 申请（专利权）人： | 西安奥华电子仪器有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06;G21G4/02 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710061陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中子 二次 抑制 电压 产生 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种中子管二次抑制极抑制电压产生电路，其一端与中子管(9)的加速极(2)及高压电源(8)负端连接，另一端与中子管(9)的靶极(1)连接，其特征在于：所述中子管二次抑制极抑制电压产生电路包括一个稳压元件(4)。
2.根据权利要求1所述的一种中子管二次抑制极抑制电压产生电路，其特征在于：所述中子管二次抑制极抑制电压产生电路包括一个稳压元件(4)和一个抑制电阻(5)，所述稳压元件(4)和抑制电阻(5)并联。
3.根据权利要求1或2所述的一种中子管二次抑制极抑制电压产生电路，其特征在于：所述稳压元件(4)包括稳压二极管、瞬态浪涌二极管或压敏电阻。
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