[实用新型]一种MOSFET过压保护装置无效
| 申请号: | 200720028645.1 | 申请日: | 2007-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN201113945Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 陈玉新 | 申请(专利权)人: | 烟台奔腾汽车检测维修设备制造有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 264006山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mosfet 保护装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种MOSFET管过压保护装置。其主要适用于液压系统中的电磁阀控制。
背景技术
随着经济的快速增长,重卡举升机越来越多地应用于汽车维修行业。采用液压系统控制设备的举升和下降,控制电磁阀采用MOSFET进行控制,由于电磁阀的线圈在断开时会产生高电压,导致MOSFET被击穿。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种MOSFET过压保护装置,保护MOSFET的漏极和源极之间避免被关断电磁阀线圈时产生的高电压击穿。
本实用新型采取的技术措施如下:
一种MOSFET过压保护装置,由MOSFET、二极管,电阻和电容组成,其特征是:MOSFET的漏极与二极管的正极和电阻第一极相连接;二极管的负极与电阻第二极和电容第一极相接;电容第二极与MOSFET的源极相连接。
所述的二极管是肖特基二极管。
本实用新型的积极效果在于:在电磁阀控制中使用本装置,可以提高MOSFET控制电磁阀的可靠性,避免MOSFET被击穿损坏,提高液压系统的反应速度,从而达到提高系统可靠性的目的。
附图说明
图1是本实用新型的电路图。
具体实施方式
如图1所示,保护装置9安装于电磁阀10,电源的负极16和MOSFET驱动电路11之间。保护装置9由MOSFET14、二极管13,电阻12和电容15组成。该装置的MOSFET14的漏极2与二极管13的正极4和电阻第一极5相连接,二极管13的负极3与电阻第二极6和电容第一极7相接,电容第二极8与MOSFET14的源极1相连接。
其中二极管是肖特基二极管。
MOSFET14为金属-氧化物-半导体型场效应管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台奔腾汽车检测维修设备制造有限公司,未经烟台奔腾汽车检测维修设备制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720028645.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:液冷式吸热装置
- 下一篇:通过电话实现自动安全报警的系统





