[实用新型]一种MOSFET过压保护装置无效

专利信息
申请号: 200720028645.1 申请日: 2007-09-30
公开(公告)号: CN201113945Y 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 陈玉新 申请(专利权)人: 烟台奔腾汽车检测维修设备制造有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 264006山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 mosfet 保护装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种MOSFET管过压保护装置。其主要适用于液压系统中的电磁阀控制。

背景技术

随着经济的快速增长,重卡举升机越来越多地应用于汽车维修行业。采用液压系统控制设备的举升和下降,控制电磁阀采用MOSFET进行控制,由于电磁阀的线圈在断开时会产生高电压,导致MOSFET被击穿。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种MOSFET过压保护装置,保护MOSFET的漏极和源极之间避免被关断电磁阀线圈时产生的高电压击穿。

本实用新型采取的技术措施如下:

一种MOSFET过压保护装置,由MOSFET、二极管,电阻和电容组成,其特征是:MOSFET的漏极与二极管的正极和电阻第一极相连接;二极管的负极与电阻第二极和电容第一极相接;电容第二极与MOSFET的源极相连接。

所述的二极管是肖特基二极管。

本实用新型的积极效果在于:在电磁阀控制中使用本装置,可以提高MOSFET控制电磁阀的可靠性,避免MOSFET被击穿损坏,提高液压系统的反应速度,从而达到提高系统可靠性的目的。

附图说明

图1是本实用新型的电路图。

具体实施方式

如图1所示,保护装置9安装于电磁阀10,电源的负极16和MOSFET驱动电路11之间。保护装置9由MOSFET14、二极管13,电阻12和电容15组成。该装置的MOSFET14的漏极2与二极管13的正极4和电阻第一极5相连接,二极管13的负极3与电阻第二极6和电容第一极7相接,电容第二极8与MOSFET14的源极1相连接。

其中二极管是肖特基二极管。

MOSFET14为金属-氧化物-半导体型场效应管。

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