[实用新型]充电过压保护电路及具有所述电路的移动终端无效
| 申请号: | 200720027729.3 | 申请日: | 2007-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN201113384Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 王琦;王靖武 | 申请(专利权)人: | 青岛海信移动通信技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H7/18 |
| 代理公司: | 青岛联智专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 崔滨生 |
| 地址: | 266100山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 充电 保护 电路 有所 移动 终端 | ||
技术领域
本实用新型属于过压保护电路技术领域,具体的说,是涉及到一种移动终端充电电压过大时的保护电路及其采用该充电过压保护电路的手机。
背景技术
国家标准YD/T 1591-2006《移动通信手持机充电器及接口技术要求和测试方法》中规定:手持机充电接口在导入6Vdc以上电压时,如果不能保证安全充电,应启动保护措施,在非预期电压的情况下,不应出现过热、燃烧、爆炸以及其它电路损坏的现象。电压恢复后,手持机应能正常工作。
为了使手机符合YD/T 1591-2006国家标准,需要在手机充电电路的前端增加过压保护电路,在充电电压出现过压时,过压保护电路发生动作以确保后端电路的安全。目前手机中应用的技术方案主要有以下两种过压保护方式:一种是采用专用的过压保护芯片来实现过压保护,其优点在于电路简单、占用印刷电路板面积较小,缺点在于成本较高、灵活性不足、对于不同手机设计平台可能需要选用不同的集成电路芯片进行保护;另外一种是采用分离元件的方式实现过压保护,其优点在于成本较低、灵活性强、针对不同的手机平台可基于同一种电路保护,其缺点在于电路复杂、占用印刷电路板面积较大。
如果采用分离元件的方式实现过压保护,在电路设计通常采用参考电压源和电压比较器部件共同实现,电压比较器部件通过比较输入电压和参考电压的大小来控制是否切断手机充电电路。由于专用电压比较器部件成本较高,对于手机这种大批量生产的电子产品并不完全适合。
基于此,如何提供一种手机产品中简单有效的充电过压保护电路的技术方案,是本实用新型所要解决的主要问题。
发明内容
本实用新型的目的,就在于提供一种优化的手机分离式过压保护电路,在满足国家标准规定的情况下,降低电路成本,并能够降低印刷电路板面积。
为实现上述目的,本实用新型采用下述的技术方案:
一种充电过压保护电路,包括充电电路和为所述充电电路提供工作电压的供电电源,在所述供电电源与充电电路之间连接有一开关电路,所述开关电路包含一个二极管,两个三极管和一个MOS管,所述二极管的负极连接供电电源,正极串联电阻后接地,所述第一个三极管的基极连接所述二极管的正极,发射极接地,集电极一方面连接供电电源,另一方面连接第二个三极管的基极,所述第二个三极管的发射极接地,集电极一方面连接供电电源,另一方面连接所述MOS管的栅极,所述MOS管的源极和漏极串接在供电电源与充电电路之间。
本技术方案所具有的另一个技术特征是:所述的二极管是齐纳电压为4.7V的齐纳二极管,二极管的正极串联2个精密电阻R1和R2分压之后接地。
本技术方案所具有的另一个技术特征是:所述的两个三极管的集电极分别串联一个电阻,然后连接到供电电源,两个三极管采用双三极管封装器件。
本技术方案所具有的另一个技术特征是:所述的MOS管是P沟道金属氧化物场效应管,门极电压是0.1V。
根据上述的充电过压保护电路的同一个设计思路,本实用新型又提出了一种应用该充电过压保护电路的移动终端,包括充电电路和为所述充电电路提供工作电压的供电电源,在所述供电电源与充电电路之间连接有一开关电路,所述开关电路包含一个二极管,两个三极管和一个MOS管,所述二极管的负极连接供电电源,正极串联电阻后接地,所述第一个三极管的基极连接所述二极管的正极,发射极接地,集电极一方面连接供电电源,另一方面连接第二个三极管的基极,所述第二个三极管的发射极接地,集电极一方面连接供电电源,另一方面连接所述MOS管的栅极,所述MOS管的源极和漏极串接在供电电源与充电电路之间。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果在于该充电过压保护电路结构简单,并在供电电源过压时能够断开充电电路,进入保护状态,并且该电路通过改变二极管串联电阻R1和R2的阻值就可改变过压保护的电压值大小,可以灵活的应用在各种移动终端设备中。
附图说明
图1是本实用新型的过压保护电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细的描述。
本实用新型采用齐纳二极管、电阻、NPN型数字三极管和P沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)构成了一种手机充电过压保护电路,其中NPN型数字三极管电路代替常规的电压比较器芯片实现电压门限检测,采用齐纳二极管和电阻串连方式实现输入电平转换,采用三极管控制MOSFET断开或导通的方式实现保护手机后端的充电电路。
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