[实用新型]一种复合太阳电池无效
申请号: | 200720011669.6 | 申请日: | 2007-04-13 |
公开(公告)号: | CN201038169Y | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 王贺权;钦兰云;朱文祥;尚晓峰;杨光 | 申请(专利权)人: | 沈阳航空工业学院 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/052 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110136辽宁省沈阳市新城子*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 太阳电池 | ||
技术领域:本实用新型涉及一种太阳能电池,尤其是一种复合太阳电池,属于新能源利用领域。
背景技术:随着全球人口的增长和经济的快速发展,能源紧张和环境污染问题日益突出。现有的化石能源是不可再生能源,在可以预见的将来会面临开采枯竭问题,而太阳能是取之不尽、用之不竭的清洁能源。因此,研究利用可再生能源特别是太阳能对解决能源危机和环境保护,对人类社会的可持续发展具有重要意义。
自1839年,贝克勒尔(Becquerel)首次报道在电解质中发现了光生伏打效应后,人类迈出了太阳电池研究的第一步。1883年美国发明家Charles Fritts制成了硒的光生伏打电池。1904年德国物理学家爱因斯坦建立了固体能带理论,第一次论证了利用太阳电池可以把太阳能直接转换成电能。1954年D.M.Chapin等人在贝尔实验室首次研制成了光电转换效率为6%的单晶硅太阳电池,从而诞生了实用的光伏发电技术,并出现了现有硅电池的第一代产品。1955年以后太阳电池无论在理论上或实际制造上都有了飞速的发展。1958年在“先锋”号人造卫星上首次应用了单晶硅太阳电池。从1956年开始,又陆续研制成了硫化镉(CdS)太阳电池、硫化铜-硫化镉(Cu2S-CdS)太阳电池和砷化镓(GaAs)太阳电池,此后十多年,太阳电池主要应用于太空。1973年世界爆发了第一次能源危机,使人们清醒地认识到地球上化石能源储藏及供给的有限性,客观上要求人们必须寻找其它可替代的能源技术,改变现有的以使用单一化石能源为基础的能源供给结构。为此,以美国为首的西方发达国家纷纷投入大量人力、物力和财力支持太阳电池的研究和发展,同时在以亟待解决的与化石能源燃烧有关的大气污染、温室效应等环境问题的促使下,在全世界范围内掀起了开发利用太阳能的热潮,也由此拉开了地面应用太阳电池的序幕。
虽然太阳能是一种清洁、无污染的绿色能源,但是对于大面积应用还受到两个主要瓶颈的限制:一、成本;二、效率。尽管硅太阳电池已经从大约10000美元/瓦降到了目前的5美元/瓦,但还是很难让人们接受。为此,人们研制开发了其他廉价材料的太阳电池,其中包括非晶硅薄膜太阳电池、多晶硅薄膜太阳电池、铜铟硒(CIS)、砷化镓和硫化镉薄膜电池、有机太阳电池和塑料电池,但是效率都很低,很难商业化应用。按照目前的理论太阳电池的能量转换效率不超过30%,到目前为止只有澳大利亚新南威尔士大学赵建华在实验室中实现了4cm2的PERL硅电池转换效率为24.7%的世界最高纪录,而商业化的电池也只有百分之十几。因此,高效太阳电池是当今的一个热点研究方向。
发明内容:针对上述现有技术的不足,本实用新型提供了一种高效的复合太阳电池。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种复合太阳电池,由凸透镜(1)、三棱镜(2)、复合太阳电池(3)和底座(5)组成。凸透镜(1)、三棱镜(2)和复合太阳电池(3)固定在底座(5)上。凸透镜(1)和三棱镜(2)处于复合太阳电池(3)前。复合电池(3)由七块太阳电池组成。
太阳光通过凸透镜聚光,以增强光的强度,再通过三棱镜的折射将复色光分解成单色光照到复合电池上。本实用新型将太阳光进行了分解,使各单色光与相应的光电转换效率高的材料相对应,这样本实用新型的电池对可见光的光电转换效率是最高的。
附图说明:
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的工作原理图。
图3是实施例的工作原理图。
具体实施方式:
如图1所示:一种复合太阳电池,由凸透镜1、三棱镜2、复合太阳电池3和底座5组成。凸透镜1、三棱镜2和复合太阳电池3固定在底座5上。凸透镜1和三棱镜2处于复合太阳电池3前。复合电池3由七块太阳电池组成。
如图2所示,太阳光4通过凸透镜1聚光,以增强光的强度,再通过三棱镜2的折射将复色光分解成单色光照到复合电池3上。调整三棱镜2与复合电池3的距离使红、橙、黄、绿、青、蓝、紫各单色光的宽度与相应太阳能电池材料的宽度相匹配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的