[实用新型]一种菌落和抑菌圈暗背景成像系统无效

专利信息
申请号: 200720003498.2 申请日: 2007-02-08
公开(公告)号: CN201007773Y 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 范飞 申请(专利权)人: 范飞
主分类号: G03B15/00 分类号: G03B15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 菌落 抑菌圈暗 背景 成像 系统
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及光学与数字成像领域,尤其涉及一种菌落和抑菌圈暗背景成像系统。

技术背景

在先技术中,对于菌落和抑菌圈的成像,大多数的成像系统采用的是顶部光源的方法,顶部光源的方法存在对细小菌落和深层菌落观察困难的问题,对于形成抑菌圈的菌层较薄时也不好区分边界。也有采用背光源的方法,但是光源对于与光源色彩接近或培养基色彩接近的菌落,和颜色较淡的菌落也不容易区别开。在先技术中均存在不足:1)菌落和抑菌圈成像受样品的影响,具有局限性;2)样品上的光强分布不均、成像失真,导致观察结果偏差较大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决上述问题,提供一种菌落和抑菌圈暗背景成像系统。

本实用新型的技术解决方案如下:

一种菌落和抑菌圈暗背景成像系统,其特征在于,包括暗背景室、培养皿、上部辅助光源和图像采集器这四部分,该四部分依次至下而上同轴线排布,所有部分安装在特殊固定架上,其中,所述的暗背景室由内壁、光源、玻璃支架、底板组成,所述的内壁呈圆锥形状,光源固定在内壁上,玻璃支架固定在内壁上表面,内壁底平面用底板密封。

所述的内壁上的光源位于培养皿的斜下方,呈环形分布。

所述的上部辅助光源位于培养皿的斜上方,呈环形分布。

所述的图像采集器位于培养皿中轴线的正上方。

本实用新型相对于在先技术,具有如下优点:

1)光强分布均匀,不受外界光源影响,成像不失真。

2)培养皿规格不受限制,培养基选取更自由。

3)菌落和抑菌圈的成像清晰,精确的还原其真实面貌。

4)结构紧凑,构造精巧。

附图说明:

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型的暗背景室结构示意图。

图3是本实用新型一个具体实施例示意图。

具体实施方式:

下面根据附图和实施例详细说明本实用新型。

如图1和2所示,一种菌落和抑菌圈暗背景成像系统,包括暗背景室101、培养皿102、上部辅助光源104和图像采集器105这四部分,该四部分依次至下而上同轴线排布,所有部分安装在特殊固定架103上,其中,暗背景室101由内壁201、光源202、玻璃支架203、底板204组成。内壁201呈圆锥形状,光源202固定在内壁201上,玻璃支架203固定在内壁201的上表面,内壁底平面用底板204密封。内壁(201)上的光源(202)位于培养皿(102)的斜下方,呈环形分布。上部辅助光源(104)位于培养皿(102)的斜上方,呈环形分布。图像采集器(105)位于培养皿(102)中轴线的正上方。内壁201与底板204全部涂成黑色,避免光反射。

如图3所示,一种菌落和抑菌圈暗背景成像系统的一个具体实施例。光源202采用具有一定发散角度的光源,光源202所发出的光线O1通过培养皿102的玻璃支架203可以直接照射在培养皿102底部上,因为培养皿中的培养基是透明或半透明的,光线O1可以直接透过培养基,如果在培养基中生长了菌落和菌层,这些菌落和菌层就会对光产生折射、反射或漫反射,一部分折射、漫反射的光进入到图像采集器105中形成图像。在成像的时候,由于底板204全部喷涂成黑色不会产生反射,所以采集器105中收集到的光大部分来自于菌落和菌层产生的折射、漫反射的光,这时菌落和菌层的图像就会很清晰,以达到观察成像的目的。

当培养皿102上表面贴有药片等标识物时,由于这些标识物不透明,图像采集器105可能对这些标识物成像不清楚,这时,上部辅助光源104所发出的光线O4会直接照射在这些标识物上,反射后光进入到图像采集器105,这样就会得到一个清晰的成像。

图像采集器105可以接收到内壁201上光源202发出的光线O1通过培养皿102的玻璃支架203直接照射在培养皿102底面上后产生的折射光,也可接收到上部辅助光源104发出的光线04直接照射在培养皿102的上表面后产生的反射光。这些光线经过图像采集器105的处理,得到清晰的成像。这样,菌落和抑菌圈成像将不会受样品的影响,光强分布均匀、成像不失真,观察结果非常接近真实情况。在玻璃支架203上放置的培养皿102,只要在玻璃圆的范围内,都不会影响成像效果,消除了对培养皿102规格的限制。

上述实施例是用来解释本实用新型,而不是对本实用新型进行限制,在本实用新型权利要求的保护范围内,对于本实用新型所作的任何修改和改变,都落入本实用新型的保护范围。

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