[发明专利]超声测厚仪及其单晶探头和双晶探头识别方法有效
申请号: | 200710308465.3 | 申请日: | 2007-12-29 |
公开(公告)号: | CN101469979A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 孙磊;曹永超;彭雪莲;徐西刚 | 申请(专利权)人: | 北京时代之峰科技有限公司 |
主分类号: | G01B17/02 | 分类号: | G01B17/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 田 野 |
地址: | 100085北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超声 测厚仪 及其 探头 双晶 识别 方法 | ||
1.一种超声测厚仪的单晶探头和双晶探头识别方法,其特征在于,该方法包括:
将发射电路和接收电路同时与第一探头插座接通,根据是否接收到反射波信号,判断所述第一探头插座上是否连接有超声晶片;
将发射电路和接收电路同时与第二探头插座接通,根据是否接收到反射波信号,判断所述第二探头插座上是否连接有超声晶片;以及
根据上述判断结果,超声测厚仪识别是否有超声探头,超声探头为单晶探头还是双晶探头,并采用相应的测量模式。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:当接收到反射波信号时,则插座上连接有超声晶片。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:当判断结果为第一探头插座和第二探头插座都没有接超声晶片时,采用无探头模式。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:当判断结果为第一探头插座和第二探头插座只有1个超声晶片时,采用单晶探头测量模式。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:当判断结果为第一探头插座和第二探头插座都连接有超声晶片时,采用双晶探头测量模式。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:当采用双晶探头测量模式时,将发射电路和接收电路分别连接到所述第一探头插座和所述第二探头插座。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:当采用单晶探头测量模式时,将发射电路和接收电路同时连接到连接有超声晶片的探头插座上。
8.一种超声测厚仪,该超声测厚仪包括显示器、键盘、处理单元、控制逻辑电路、发射电路、接收电路、两个探头插座和探头,其中处理单元连接显示器并控制逻辑电路,逻辑电路连接发射电路和接收电路,探头与探头插座连接,其特征在于:
该超声测厚仪还包括通路切换电路,设置在发射电路和接收电路与两个探头插座之间,该通路切换电路接收处理单元的控制信号,使发射电路和接收电路与两个探头插座连接或断开。
9.根据权利要求8所述的超声测厚仪,其特征在于:在识别探头时,通路切换电路将发射电路和接收电路切换至连接同一个探头插座,当接收信号中包含发射超声波信号和延迟块界面回波信号时,则接有超声晶片,否则没有接超声晶片。
10.根据权利要求8所述的超声测厚仪,其特征在于:在选择测量模式时,通路切换电路将发射电路切换至连接一个探头插座,当接收到反射波信号时,则判定该探头插座连接有超声晶片,否则没有超声晶片;通路切换电路将发射电路切换至连接另一个探头插座,当接收到反射包信号时该探头插座连接有超声晶片,否则没有超声晶片;当两个探头插座上都连接有超声晶片时,处理单元控制采用双晶探头测量模式;当两个探头插座上只有一个连接有超声晶片时,处理单元控制采用单晶探头测量模式;两个探头插座上没有连接有超声晶片时,处理单元控制采用无探头模式。
11.根据权利要求10所述的超声测厚仪,其特征在于:当采用双晶探头测量模式,处理单元控制通路切换电路将发射电路连接到一个探头插座,将接收电路连接到另一个探头插座。
12.根据权利要求11所述的超声测厚仪,其特征在于:键盘输入指令,通过一个探头插座给探头一个发射信号,由探头发射超声波脉冲并将超声脉冲反射信号通过另一个探头插座反馈给处理单元,处理单元将信号经过处理获得的数据传送给液晶屏显示。
13.根据权利要求10所述的超声测厚仪,其特征在于:当采用单晶探头测量模式,处理单元控制通路切换电路将发射电路和接收电路同时连接到有超声晶片的探头插座上。
14.根据权利要求13所述的超声测厚仪,其特征在于:键盘输入指令,通过连接有超声晶片的探头插座给探头一个发射信号,由探头发射超声波脉冲并将超声脉冲反射信号通过连接有超声晶片的探头插座反馈给处理单元,处理单元将信号经过处理获得的数据传送给液晶屏显示。
15.根据权利要求8所述的超声测厚仪,其特征在于:所述通路切换电路包括两个继电器。
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