[发明专利]有机发光二极管显示器件及其驱动方法

说明书

本申请要求于2007年1月26日在韩国提交的韩国专利申请第10-2007-0008400的权益，因此在这里全文引入作为参考。

技术领域

本发明涉及一种显示器件，尤其涉及一种有机发光二极管显示器件及其驱动方法。

背景技术

近来，由于与射线管(CRT)相比具有减小的重量和体积，多种平板显示面板技术得到普及。这种平板显示面板包括液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示面板和电致发光(EL)显示器件。

在上述器件中，EL显示器件是一种可引起荧光基板通过电子和空穴的复合来发光的自发光器件，一般可分为其中无机化合物作为荧光基板的无机EL和其中使用有机化合物的有机EL。EL显示器件具有例如低驱动电压自发光、薄外观、宽视角、响应速度快和高对比度等多种优点。因此，EL器件被认为是下一代显示器件。

有机EL器件一般包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。在这种有机EL器件中，当在阳极和阴极之间施加特定电压时，产生自阴极的电子通过电子注入层和电子传输层进入发光层。同时，产生自阳极的空穴通过空穴注入层和空穴传输层进入发光层。因此，来自电子传输层和空穴传输层的电子和空穴在发光层中复合来发光。

下面将参考图1讨论有机EL采用的一般有机发光二极管显示器件的电路构造。

图1所示的是一般有机发光二极管显示器件的像素的等效电路图。

参考图1，有机发光二极管显示器件的每个像素包括开关薄膜晶体管S_TR1，其由通过栅极线GL施加的扫描脉冲开启，并用于开关通过数据线DL提供的数据电压；存储电容Cst，用于将通过开关薄膜晶体管S_TR1提供的数据电压充电；有机发光二极管OLED，其由来自能源终端提供驱动电流从而达到高电压VDD而开启；和驱动薄膜晶体管D_TR1，其由通过开关薄膜晶体管S_TR1或者存储电容Cst提供的数据电压开启，从而驱动有机发光二极管OLED。

开关薄膜晶体管S_TR1为N-MOS薄膜晶体管，其具有连接到栅极线GL的栅极、连接到数据线DL的漏极、和共同连接到存储电容Cst和驱动薄膜晶体管D_TR1的栅极的源极。开关薄膜晶体管S_TR1由通过栅极线GL施加的扫描脉冲开启，以提供通过数据线DL提供的数据电压到存储电容Cst和驱动薄膜晶体管D_TR1。

存储电容Cst具有共同连接到开关薄膜晶体管S_TR1和驱动薄膜晶体管D_TR1的一侧和连接到地的另一侧，并由通过开光薄膜晶体管S_TR1提供数据电压进行充电。当通过开关薄膜晶体管S_TR1提供的数据电压停止提供给驱动薄膜晶体管D_TR1的栅极时，也就是说，当驱动薄膜晶体管D_TR1的栅极电压开始下降时，存储电容Cst将充电电压放电，从而保持驱动薄膜晶体管D_TR1的栅极电压。因此，即使停止施加通过开关薄膜晶体管S_TR1施加的电压，在保持期间可通过存储电容Cst由存储电容Cst的充电电压使得驱动薄膜晶体管D_TR1保持开启状态。

有机发光二极管OLED具有连接到提供高电压VDD的能源终端的阳极和连接到驱动薄膜晶体管D_TR1的漏极的阴极。

驱动薄膜晶体管D_TR1是一种N-MOS薄膜晶体管，其具有共同连接到开关薄膜晶体管S_TR1和开关晶体管S_TR1的源极的栅极、连接到有机发光二极管OLED的阴极的漏极和连接到地的源极。驱动薄膜晶体管D_TR1由通过开关薄膜晶体管S_TR1提供到栅极的数据电压和提供到栅极的开关薄膜晶体管S_TR1的充电电压开启，并开关在有机发光二极管OLED中流向地的驱动电流，从而允许通过由高电压VDD使得有机发光二极管OLED发光。

由于具有等效电路的像素的传统有机发光二极管显示器件使用了一个驱动薄膜晶体管，将出现由于持续提供给驱动薄膜晶体管的栅极上的偏置而引起的压力导致驱动薄膜晶体管破坏的问题。

为了解决这个问题，开发了一种在每个像素中具有两个驱动薄膜晶体管的传统有机发光二极管显示器件，交替驱动设置在每个像素中的两个驱动薄膜晶体管以降低由于偏置引起的压力。这种传统的有机发光二极管显示器件提供高电压VDD，也就是有机发光二极管的驱动电压，通过形成在显示面板(未示出)的电源线提供到每个像素的有机发光二极管上，因此由于电源线的电阻导致了高电压VDD的下降并提供给每个像素。由于高电压VDD的下降，具有形成在每个像素上的两个薄膜晶体管的传统有机发光二极管显示器件不能在每个像素显示理想的灰度级。

发明内容