[发明专利]有机发光器件的像素驱动方法和装置

权利要求书

1.一种有机发光器件的像素驱动方法，包括：

第一个步骤，当切断高电源电压到有机发光二极管的供给时，在数据电压 编程周期中通过驱动第一开关晶体管向存储电容器充入通过数据线供给的数 据电压，所述第一开关晶体管是N-沟道开关晶体管；以及

第二个步骤，当提供高电源电压时，通过驱动N-沟道驱动晶体管而使有 机发光二极管按照充入存储电容器的数据电压发光，

其中，第二开关晶体管的漏极和源极分别连接到所述有机发光二极管的阴 极与所述N-沟道驱动晶体管的漏极，并且当在所述数据电压编程周期中通过 信号控制器向所述第二开关晶体管的栅极输出“低”电平的开关控制信号时， 所述第二开关晶体管截止，并且其中，当完成了数据电压编程操作时，所述第 一开关晶体管截止并且所述N-沟道驱动晶体管的栅极节点处于电浮动状态，

其中，所述栅极节点为所述第一开关晶体管、所述存储电容器和所述N 沟道驱动晶体管的连接节点。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一开关晶体管由正 扫描信号驱动。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，存储电容器连接在N-沟道 驱动晶体管的栅极端与低电源电压端之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，低电源电压端与具有网格 结构的低电源电压供给线连接。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，存储电容器连接在N-沟道 驱动晶体管的栅极端与源极端之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，有机发光二极管具有连接 到高电源电压端的阳极、和连接到N-沟道驱动晶体管的漏极的阴极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，有机发光二极管具有连接 到N-沟道驱动晶体管的源极端的阳极、和连接到低电源电压端的阴极。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过连接在有机发光二极 管和驱动晶体管之间的开关晶体管控制高电源电压到有机发光二极管的供给 或切断。

9.一种有机发光器件的像素驱动方法，包括：

第一个步骤，当切断低电源电压到有机发光二极管的供给时，在数据电压 编程周期中通过驱动第一开关晶体管向存储电容器充入通过数据线供给的数 据电压，所述第一开关晶体管是P-沟道开关晶体管；以及

第二个步骤，当提供低电源电压时，通过驱动P-沟道驱动晶体管而使有 机发光二极管按照充入存储电容器的数据电压发光，

其中，第二开关晶体管的漏极和源极分别连接到所述有机发光二极管的阳 极与所述P-沟道驱动晶体管的漏极，并且当在所述数据电压编程周期中通过 信号控制器向所述第二开关晶体管的栅极输出“高”电平的开关控制信号时， 所述第二开关晶体管截止，并且其中，当完成了数据电压编程操作时，所述第 一开关晶体管截止并且所述P-沟道驱动晶体管的栅极节点处于电浮动状态，

其中，所述栅极节点为所述第一开关晶体管、所述存储电容器和所述P 沟道驱动晶体管的连接节点。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一开关晶体管由负 扫描信号驱动。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，存储电容器连接在P-沟 道驱动晶体管的栅极端与高电源电压端之间。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，有机发光二极管具有连接 到P-沟道驱动晶体管的源极端的阳极、和连接到低电源电压端的阴极。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，通过连接在有机发光二极 管和驱动晶体管之间的开关晶体管控制低电源电压到有机发光二极管的供给 或切断。

14.一种有机发光器件的像素驱动装置，包括：

第一开关晶体管，由扫描信号驱动并且用于在高电源电压的供给被切断的 情形中向存储电容器传输通过数据线供给的数据电压；

存储电容器，连接在驱动晶体管的栅极端与低电源电压端之间，用于在高 电源电压的供给被切断的情形下在数据电压编程周期中充入数据电压；

驱动晶体管，用于在供给高电源电压的情形下向有机发光二极管供给与充 入存储电容器的数据电压相对应的驱动电流；

第二开关晶体管，连接在有机发光器件的阴极与驱动晶体管的漏极之间， 用于在供给扫描信号时通过“低”电平的开关控制信号而截止；以及

有机发光二极管，具有连接到高电源电压的阳极和连接到第二开关晶体管 的漏极的阴极，用于发射具有对应于驱动电流的亮度的光，

其中，所述第一开关晶体管为N-沟道开关晶体管，所述驱动晶体管为N- 沟道驱动晶体管，并且其中，当完成了数据电压编程操作时，所述第一开关晶 体管截止并且所述N-沟道驱动晶体管的栅极节点处于电浮动状态，

其中，所述栅极节点为所述第一开关晶体管、所述存储电容器和所述N 沟道驱动晶体管的连接节点。