[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

介电层，位于具有光电二极管的衬底上；

金属互连层，位于所述介电层上；以及

上绝缘层，位于所述金属互连层上，

其中，所述金属互连层包括：下阻挡层；块金属层，位于所述下阻挡层上；以及上阻挡层，位于所述块金属层上，所述上阻挡层的预定厚度为所述下阻挡层的厚度的0.8倍至1.5倍。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述下阻挡层包括：第一下阻挡和/或粘合层，以大约300至400的厚度位于所述介电层上；以及第二下阻挡层，以大约200至250的厚度位于所述第一下阻挡和/或粘合层上。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一下阻挡和/或粘合层包含Ti，而所述第二下阻挡层包含TiN。

4.如权利要求2所述的图像传感器，其中，所述块金属层以大约2000至7000的厚度位于所述第二下阻挡层上。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中，所述块金属层包含Al。

6.如权利要求2所述的图像传感器，其中，所述上阻挡层包括：第一上阻挡和/或粘合层，以大约30至60的厚度位于所述块金属层上；以及第二上阻挡层，以大约300至500的厚度位于所述第一上阻挡和/或粘合层上。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第一上阻挡和/或粘合层包含Ti，而所述第二上阻挡层包含TiN。

8.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括以下步骤：

在具有光电二极管的衬底上形成介电层；

在所述层间介电层上形成下阻挡层；

在所述下阻挡层上形成块金属层；

在所述块金属层上形成上阻挡层，所述上阻挡层的预定厚度为所述下阻挡层的厚度的0.8倍至1.5倍；

在所述上阻挡层上形成上绝缘层；以及

将具有所述上绝缘层的所述衬底进行烧结处理。

9.如权利要求8所述的方法，其中，在所述介电层上形成下阻挡层的步骤包括以下步骤：

在所述层间介电层上以300至400的厚度形成第一下阻挡和/或粘合层；以及

在所述第一下阻挡和/或粘合层上以大约200至250的厚度形成第二下阻挡层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一下阻挡和/或粘合层包含Ti，而所述第二下阻挡层包含TiN。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述块金属层具有大约2000至7000的厚度。

12.如权利要求9所述的方法，其中，在所述块金属层上形成上阻挡层的步骤包括以下步骤：

在所述金属互连上以大约30至60的厚度形成第一上阻挡和/或粘合层；以及

在所述第一上阻挡和/或粘合层上以大约300至500的厚度形成第二上阻挡层。

13.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括以下步骤：

在具有光电二极管的衬底上形成介电层；

在所述介电层上形成金属互连层；

在所述金属互连层上形成上绝缘层；

在所述上绝缘层上形成牺牲层；

将具有所述牺牲层的所述衬底进行烧结处理；以及

从经过烧结处理的所述衬底去除所述牺牲层。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述牺牲层包括金属层。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述牺牲层具有大约1000至3000的厚度。

16.如权利要求13所述的方法，其中，通过回蚀工艺去除所述牺牲层。

17.如权利要求13所述的方法，其中，通过化学机械抛光去除所述牺牲层。

18.如权利要求13所述的方法，其中，形成金属互连层的步骤包括以下步骤：

在所述层间介电层上形成下阻挡层；

在所述下阻挡层上形成块金属层；以及

在所述金属互连上形成上阻挡层，所述上阻挡层的预定厚度为所述下阻挡层的厚度的1倍至1.5倍。