[发明专利]液晶显示器的制造方法有效
申请号: | 200710306900.9 | 申请日: | 2007-09-05 |
公开(公告)号: | CN101221925A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 崔升夏;吴旼锡;金湘甲;崔在镐;丁有光 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)设备,更具体地涉及一种在提高设备可靠性的同时在LCD设备上形成数据线和数据线图案的方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)作为像素的开关元件被广泛用于平板显示设备中,如液晶显示设备或有机发光显示设备。液晶显示设备包括多个像素,且每个像素包括传输栅极信号(注入信号)的栅极线,传输数据信号的数据线,以及薄膜晶体管。
薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅电极,连接到数据线的源电极和连接到像素的像素电极的漏电极。这些电极形成于半导体层上。薄膜晶体管的作用是响应来自栅极线的栅极(注入)信号,从数据线传递数据信号至像素电极。
为了连接用钝化层或钝化层彼此分开的像素电极和漏电极,在钝化层中形成接触孔,接触孔一般用无机材料形成,位于在薄膜晶体管之上。
在液晶显示设备的制造过程中,钝化层被沉积于数据垫(pad)和漏电极之上。可是栅极垫不仅被钝化层覆盖也被栅极绝缘体覆盖。
然后,对光刻胶层应用刻蚀处理。此时,由于栅极绝缘体和钝化层在栅极垫之上,在栅极垫上的钝化层首先与在数据垫和数据电极上的钝化层一起显影。然后,对栅极垫应用刻蚀处理以刻蚀栅极绝缘体。在这过程中,数据垫和漏电极受到刻蚀处理,所以破坏了数据垫和漏电极的表面。
此外,在数据垫和漏电极之上的接触孔形成倒锥形结构,该结构的特点是越高的位置横截面积越窄,所以透明的像素电极可能会与数据垫和漏电极连接得不够好。此外,刻蚀处理破坏数据垫和漏电极的表面,这增加了像素电极与数据垫或漏电极之间的接触电阻。因此,液晶显示设备的可靠性及电特性退化了。
发明内容
本发明提供一种提高LCD显示器的电特性和可靠性的制造方法。
为了完成本发明,制造方法包括:在绝缘衬底上形成栅极线;
在栅极线上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上顺序形成半导体层和数据层;在数据层上形成一定厚度的感光膜;通过用掩模选择性地显影感光膜的预定部分来曝光感光膜,以形成第一感光膜图案,配置该掩模,以用具有显影和未显影厚度的多个区域中的某些区域在感光膜中定义多个区域,其中在第一区域,感光膜有第一未显影厚度,在第二区域,感光膜有第二未显影厚度,在第三区域,感光膜有比第二未显影厚度更少的第三未显影厚度,以及在第四区域,感光膜显影的厚度等于感光膜的厚度;去除感光膜的显影部分;使用第一感光图案刻蚀在第四区域下的数据层、半导体层和栅极绝缘层;通过灰化第一感光膜图案形成第二感光图案,从而暴露在第三区域下的数据层;通过使用第二感光膜图案来刻蚀数据层和半导体层以形成包括初级源漏图案及末端部分的数据线和半导体图案;通过灰化第二感光膜图案形成第三感光膜图案,从而暴露第二区域下的初级源漏图案;通过使用第三感光膜图案刻蚀曝光的初级源漏图案以形成源电极和漏电极;及去除第三感光膜图案。
这步处理后,钝化层形成于所有层之上,该所有层包括栅极线的栅极垫、数据线的数据垫和漏电极;及第二接触孔形成于钝化层中以暴露栅极垫,数据垫和漏电极,其中该第二接触孔比第一接触孔宽。
在本发明的一个实施例中,该制造方法使用掩模,该掩模包括光防护区域,透光区域,半透光区域,和缝隙区域。该掩模的光防护区域限定第一区域,缝隙区域限定第二区域,半透光区域限定第三区域,透光区域限定第四区域。
结果,这能保护钝化层中的接触孔以具有倒锥形结构。同样,在暴露数据垫的刻蚀过程期间,能够保护栅极垫不过度刻蚀。
附图说明
图1是表示根据本发明的一个实施例的液晶显示设备的像素的平面图;
图2是图1中的沿II-II’线的截面图;
图3是图1中的沿III-III’线的截面图;
图4是图解液晶显示面板的栅极线和存储线的形成过程的平面图;
图5是图4中的沿V-V’线的截面图;
图6是图4中的沿VI-VI’线的截面图;
图7、9、11、13和15是图解图5的栅极线和存储线上的形成过程的截面图;
图8、10、12、14和16是图解图6的数据线上的形成过程的截面图;
图17是图解液晶显示面板的数据线的形成过程的平面示意图;
图18是图17中的沿XVIII-XVIII’线的截面图;
图19是图17中的沿XIX-XIX’线的截面图;
图20是图解液晶显示面板的钝化层的形成处理的平面图;
图21是图17中的沿XXI-XXI’线的截面图;
图22是图17中的沿XXII-XXII’线的截面图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造