[发明专利]一种复合触点结构及制造工艺

权利要求书

1.一种复合触点结构，包括铜基体(1)，其特征是：所述的铜基体(1)的盘基(1a)上表面复合连结有至少一层上合金层(2)，所述的铜基体(1)的杆基(1b)下表面复合连结有至少一层下合金层(3)。

2.根椐权利要求1所述的一种复合触点结构，其特征是：所述的上合金层(2)与盘基(1a)经冷镦压合连结；所述的下合金层(3)与杆基(1b)之间的接缝处原子经高温作用相互扩散形成牢固接合的融合层(4)。

3.根椐权利要求2所述的一种复合触点结构，其特征是：所述的上合金层(2)为0.3毫米至0.7毫米。

4.根椐权利要求3所述的一种复合触点结构，其特征是：所述的上合金层(2)与盘基(1a)的镦压脱模角度值θ为5度～9度。

5.根椐权利要求4所述的一种复合触点结构，其特征是：所述的上合金层(2)与盘基(1a)所形成的T形盘部直径尺寸值φD范围为2.5毫米至8毫米，并且该T形盘部的厚度尺寸值T范围为0.6毫米至2毫米。

6.根椐权利要求5所述的一种复合触点结构，其特征是：所述的T形盘部顶面制有凸起的球面(1c)形状或平面形状。

7.根椐权利要求6所述的一种复合触点结构，其特征是：所述球面(1c)的球面半径尺寸值SR范围为4毫米至25毫米；所述T形盘部的圆周边还倒有圆角R。

8.根椐权利要求3所述的一种复合触点结构，其特征是：所述的下合金层(3)与杆基(1b)所形成的根部直径尺寸值φd范围为1.2毫米至4毫米，并且该根部的长度尺寸值L范围为1毫米至3毫米；所述的上合金层(2)为一层，相应地，所述的下合金层(3)也为一层。

9.制造如权利要求1至6任一权利要求所述的一种复合触点结构工艺，其特征是：首先将上合金层(2)与铜基体(1)的盘基(1a)经冷镦机压合成复合触点半成品，再将复合触点半成品与下合金层(3)放入石墨盘，并一起放入高温炉中，高温炉中的真空扩散焊接工艺原理为在真空炉或保护气氛中，在设定的温度和时间下，使下合金层(3)与杆基(1b)之间的原子相互交融扩散，达到金属间的相互结合，并形成牢固接合的融合层(4)。

10.根椐权利要求9所述的制造一种复合触点结构工艺，其特征是：所述的石墨盘中加工有大量的定位孔，根据触点尺寸大小，每炉一次可同时焊接200粒以上触点，所述的下合金层坯料采用线材并用自动下料机下料；所述的下合金层坯料采用了银铋锡镧材料，该材料可焊性好，并具有良好的抗电腐蚀性能。