[发明专利]多晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 200710305936.5 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101209841A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张泽龙;李炳一;李永浩;张锡弼 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
1.多晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：
(a)在非晶质硅上供给含有金属的源气体的步骤；
(b)通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在所述非晶质硅上的步骤；
(c)将所述(b)中未吸附于所述非晶质硅上的源气体除去的步骤；
(d)在吸附有源气体的所述非晶质硅上供给辅助气体的步骤；
(e)通过吸附在所述非晶质硅上的源气体与所述辅助气体发生反应，从而最终在所述非晶质硅上吸附规定量的金属的步骤；以及
(f)对吸附有所述金属的非晶质硅进行热处理的步骤。
2.多晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：
(a)在非晶质硅上供给含有金属的源气体的步骤；
(b)通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在所述非晶质硅上的步骤；
(c)将所述(b)中未吸附于所述非晶质硅上的源气体除去的步骤；以及
(d)对吸附有所述源气体的非晶质硅进行热处理的步骤。
3.权利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述源气体含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu中的任意1个或2个以上。
4.权利要求3所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述源气体为Ni(cp)2或Ni(dmamb)2中的任意一个。
5.权利要求1所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述辅助气体包含H2、NH3等还原性气体，O2、N2O、H2O、臭氧等氧化性气体，Ar、N2等不活泼性气体。
6.权利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述吸附温度为常温～250℃的范围。
7.权利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，在所述(b)中，源气体以覆盖率小于1的比例吸附在所述非晶质硅上。
8.权利要求1所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，在所述(f)中，热处理温度为400～700℃，热处理时间为1～10小时，热处理气氛为含有Ar、Ne、He、N2气体的不活泼性气体气氛。
9.权利要求2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，在所述(d)中，热处理温度为400～700℃，热处理时间为1～10小时，热处理气氛为选自含有Ar、Ne、He、N2气体的不活泼性气体气氛，O2、N2O、H2O、臭氧等氧化性气体气氛和H2、NH3等还原性气体气氛中的至少一个。
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