[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

第一光电二极管，位于半导体衬底中，处在配置用于检测第一波长的光线的深度；

第二光电二极管，位于所述半导体衬底中所述第一光电二极管之上，处在配置用于检测第二波长的光线的深度，所述第二波长短于所述第一波长；

第三光电二极管，邻近所述第二光电二极管；

插塞，与所述第一光电二极管电接触；

晶体管区，位于所述半导体衬底上，并与所述第一光电二极管、所述第二光电二极管以及所述第三光电二极管电连接；

绝缘层，覆盖所述晶体管区；以及

微透镜，位于所述绝缘层之上或上方。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一光电二极管位于距所述半导体衬底的表面的第一距离处，且所述第二光电二极管位于距所述半导体衬底的表面的第二距离处，所述第二距离短于所述第一距离。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第二光电二极管位于所述半导体衬底的表面之上或该表面附近。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第三光电二极管位于所述半导体衬底的表面上或该表面附近。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述插塞包括杂质离子。

6.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体衬底中配置用于检测第一波长的光线的注入深度处注入杂质，以形成第一光电二极管；

在所述衬底中、所述第一光电二极管上方配置用于检测第二波长的光线的注入深度处注入杂质，以形成第二光电二极管，所述第二波长短于所述第一波长；

在所述衬底中邻近所述第二光电二极管的预定区域注入杂质，以形成第三光电二极管；

形成插塞，所述插塞与所述第一光电二极管电接触；

在所述半导体衬底上形成晶体管结构，使得所述晶体管结构与所述第一光电二极管、所述第二光电二极管以及所述第三光电二极管电连接；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述晶体管结构；以及

在所述绝缘层上形成微透镜。

7.如权利要求6所述的方法，其中，形成第一光电二极管的步骤包括以第一离子注入能量注入离子，且形成第二光电二极管的步骤包括以第二离子注入能量注入离子，所述第二离子注入能量小于所述第一离子注入能量。

8.如权利要求6所述的方法，还包括以下步骤：在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间形成高密度杂质区，以防止所述第一光电二极管与所述第二光电二极管相互干扰。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述高密度杂质区包括P型离子，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管包括N型离子。