[发明专利]雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于：

包括第1电极、和具有电连接到该第1电极的由第1导电型构成的第1半导体层的衬底，在上述衬底上至少层叠了雪崩倍增层、光吸收层和能带隙比上述光吸收层大的第2半导体层，在上述第2半导体层内形成第2导电型导电区域，将上述第2导电型导电区域电连接到第2电极上，而且，

留下第2导电型导电区域和上述第2导电型导电区域的周围的第2半导体层的一部分，至少在其外周的衬底上层叠了的层中的光吸收层被除去而形成上述光吸收层的侧面，上述光吸收层形成得比上述雪崩倍增层窄。

2.一种雪崩光电二极管，其特征在于：

包括第1电极、和具有电连接到该第1电极的由第1导电型构成的第1半导体层的衬底，在上述衬底上至少层叠了雪崩倍增层、光吸收层和能带隙比上述光吸收层大的第2半导体层，在上述第2半导体层内形成第2导电型导电区域，将上述第2导电型导电区域电连接到第2电极上，而且，

留下第2导电型导电区域和上述第2导电型导电区域的周围的第2半导体层的一部分，至少在其外周的衬底上层叠了的层中的光吸收层被除去而形成上述光吸收层的侧面，除去比上述雪崩倍增层深的层为止而形成上述侧面。

3.如权利要求1或2中所述的雪崩光电二极管，其特征在于：

上述光吸收层形成得比其它的层窄，从而在层间设置台阶差。

4.如权利要求1或2中所述的雪崩光电二极管，其特征在于：

在上述第2导电型导电区域的周围还形成了第2导电型周边导电区域。

5.如权利要求1或2中所述的雪崩光电二极管，其特征在于：

在上述侧面设置有保护膜。

6.如权利要求1或2中所述的雪崩光电二极管，其特征在于：

在离开上述侧面的部位的外周的衬底上层叠了的层中设置槽。