[发明专利]相变化存储器的制造方法

权利要求书

1.一种相变化存储器的工艺方法，包括：

提供具有电极的基底；

依序形成导电层及第一介电层于该基底上，其中该导电层与该电极电性连接；

形成图形化光刻胶层于该第一介电层上；

对该图形化光刻胶层进行微削工艺，以形成光刻胶柱；

以该光刻胶柱作为蚀刻掩模，对该第一介电层进行蚀刻，以形成介电柱；

顺应性形成第一相变化材料层于该导电层及该介电柱上，以使该介电柱的上表面及侧面皆被该第一相变化材料层所覆盖；

形成第二介电层以覆盖该第一相变化材料层；

对该第二介电层及该第一相变化材料层进行平坦化处理，至露出该介电柱的上表面为止；以及

形成第二相变化材料层于该第二介电层上，其中该第二相变化材料层与该第一相变化材料层电性接触。

2.如权利要求1所述的相变化存储器的工艺方法，其中该第一及第二相变化材料层包含硫属化合物所构成。

3.如权利要求1所述的相变化存储器的工艺方法，其中该导电层包含TaN、W、TiN或TiW。

4.如权利要求1所述的相变化存储器的工艺方法，其中该微削工艺包括干法微削工艺或是溶剂微削工艺。

5.如权利要求1所述的相变化存储器的工艺方法，其中该第一相变化材料层的厚度介于5～40nm之间。

6.如权利要求1所述的相变化存储器的工艺方法，其中该介电柱的截面直径不大于75nm。

7.如权利要求1所述的相变化存储器的工艺方法，其中该平坦化处理包含化学机械抛光。

8.如权利要求1所述的相变化存储器的工艺方法，其中该方法不包含将该第一相变化材料层填入一凹陷中。

9.如权利要求8所述的相变化存储器的工艺方法，其中形成该第一相变化材料层的方法不会导致空洞产生。