[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

滤色镜层，位于半导体衬底上；以及

微透镜阵列，位于所述滤色镜层上且包括非光敏绝缘层，所述微透镜阵列包括位于所述滤色镜层中第一滤色镜上的第一多个微透镜、及位于所述滤色镜层中第二滤色镜上的第二多个微透镜，所述第一多个微透镜和所述第二多个微透镜具有彼此不同的厚度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：平坦化层，位于所述滤色镜层上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：保护层，位于所述微透镜上。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述保护层包括低温氧化物层和旋涂玻璃层至少其中之一。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一滤色镜是绿色滤色镜，且所述第二滤色镜是红色滤色镜和蓝色滤色镜至少其中之一。

6.一种图像传感器，包括：

滤色镜层，位于半导体衬底上；以及

微透镜阵列，位于所述滤色镜层上且包括非光敏绝缘层，所述微透镜阵列包括位于所述滤色镜层中红色滤色镜上的第一微透镜、位于所述滤色镜层中绿色滤色镜上的第二微透镜、及位于所述滤色镜层中蓝色滤色镜上的第三微透镜，其中所述第一微透镜、第二微透镜及第三微透镜具有相同的厚度或彼此不同的厚度。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，还包括：平坦化层，位于所述滤色镜层上。

8.根据权利要求6所述的图像传感器，还包括：保护层，位于所述微透镜上。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述保护层包括低温氧化物层和旋涂玻璃层至少其中之一。

10.一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤：

在滤色镜层上形成非光敏绝缘层；

在所述非光敏绝缘层上形成光敏层；

通过图案化所述光敏层来形成牺牲微透镜；

通过蚀刻所述牺牲微透镜和所述非光敏绝缘层，由所述非光敏绝缘层或在所述非光敏绝缘层中形成微透镜阵列。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：在所述滤色镜层上形成平坦化层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中相邻的微透镜是无间隙的。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述牺牲微透镜包括位于所述滤色镜层中绿色滤色镜上的第一多个牺牲微透镜以及位于所述滤色镜层中红色和/或蓝色滤色镜上的第二多个牺牲微透镜，所述第一牺牲微透镜和所述第二牺牲微透镜具有彼此不同的厚度。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述牺牲微透镜包括位于所述滤色镜层中红色滤色镜上的第一牺牲微透镜、位于所述滤色镜层中绿色滤色镜上的第二牺牲微透镜、及位于所述滤色镜层中蓝色滤色镜上的第三牺牲微透镜，所述第一牺牲微透镜、所述第二牺牲微透镜及所述第三牺牲微透镜全部具有相同的厚度。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述牺牲微透镜包括位于所述滤色镜层中红色滤色镜上的第一牺牲微透镜、位于所述滤色镜层中绿色滤色镜上的第二牺牲微透镜、及位于所述滤色镜层中蓝色滤色镜上的第三牺牲微透镜，所述第一牺牲微透镜、所述第二牺牲微透镜及所述第三牺牲微透镜具有彼此不同的厚度。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：在所述微透镜上形成保护层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述保护层包括低温氧化物层和旋涂玻璃层至少其中之一。

18.根据权利要求10所述的方法，其中所述牺牲微透镜和所述非光敏绝缘层以大约1∶1的蚀刻比被毯覆式蚀刻。