[发明专利]具有电流吸收器的电压调节器及包括其的数字放大器无效
| 申请号: | 200710305198.4 | 申请日: | 2007-11-30 | 
| 公开(公告)号: | CN101201638A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 | 
| 发明(设计)人: | 刘承彬;石春均;曹勇振 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 | 
| 主分类号: | G05F1/10 | 分类号: | G05F1/10;H03F3/217 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 电流 吸收 电压 调节器 包括 数字 放大器 | ||
1.一种电压调节器,包括:
电压驱动电路,其被控制以保持输出节点处的输出信号;和
电流吸收单元,其被耦接到所述输出节点,用于产生灌电流,该灌电流用于分流流向所述输出节点的外部电流。
2.如权利要求1所述的电压调节器,还包括:
误差放大器,用于从所述输出信号和参考信号产生控制信号,
其中,根据该控制信号来控制所述电压驱动电路和所述电流吸收单元。
3.如权利要求2所述的电压调节器,其中,所述电压驱动电路由所述控制信号控制,以向所述输出节点提供拉电流,从而使输出信号被保持在由参考信号所指示的期望电平。
4.如权利要求3所述的电压调节器,其中,所述外部电流是从外部源流向所述输出节点的反向电流。
5.如权利要求4所述的电压调节器,其中,所述电流吸收单元吸收至少一部分流出所述输出节点的反向电流。
6.如权利要求5所述的电压调节器,其中,所述电压驱动电路是P-沟道场效应晶体管,其被耦接在高电压源和输出节点之间,具有受到根据所述控制信号控制的栅极,并且其中,所述电流吸收单元是N-沟道场效应晶体管,其被耦接在输出节点和地节点之间,具有受到根据所述控制信号控制的栅极。
7.如权利要求6所述的电压调节器,还包括:
控制电路,用于从由所述误差放大器所生成的控制信号中产生第一晶体管控制信号,该第一晶体管控制信号被施加到P-沟道场效应晶体管的栅极,以及用于从所述控制信号产生第二晶体管控制信号,该第二晶体管控制信号被施加到N-沟道场效应晶体管的栅极。
8.如权利要求2所述的电压调节器,其中,所述误差放大器是差动输入放大器。
9.如权利要求8所述的电压调节器,还包括:
参考电压发生器,用于产生施加在所述差动输入放大器的负输入端的参考信号。
10.如权利要求9所述的电压调节器,还包括:
反馈电路,用于从所述输出信号产生施加在所述差动输入放大器的正输入端的反馈信号。
11.如权利要求10的电压调节器,其中反馈电路包括:
电阻式分压器,其被耦接在所述输出节点与所述差动输入放大器的正输入端之间。
12.如权利要求1所述的电压调节器,还包括:
电容器,其被耦接到所述输出节点。
13.一种数字放大器,包括:
驱动电路,用于放大脉冲宽度调制信号,以产生放大的脉冲宽度调制信号;及
电压调节器,包括:
电压驱动电路,其被控制以保持被耦接到该驱动电路的输出节点处的输出电压,该输出电压用于偏置该驱动电路;及
电流吸收单元,其被耦接到所述输出节点,用于产生灌电流,该灌电流分流流向所述输出节点的、由所述驱动电路产生的外部电流。
14.如权利要求13所述的数字放大器,还包括:
低通滤波器,用于将所述放大的脉冲宽度调制信号转换为模拟信号。
15.如权利要求13所述的数字放大器,其中,所述驱动电路是D类驱动电路。
16.如权利要求13所述的数字放大器,其中,所述电压调节器还包括:
误差放大器,用于从所述输出电压和所述参考电压产生控制信号,
其中,根据该控制信号控制所述电压驱动电路和所述电流吸收单元。
17.如权利要求16所述的数字放大器,其中,根据所述控制信号所述电压驱动电路控制,以向所述输出节点提供拉电流,从而使输出电压保持在由参考电压所指示的期望电平,并且其中,所述外部电流是从所述驱动电路流向所述输出节点的反向电流。
18.如权利要求17所述的数字放大器,其中,所述电压驱动电路是P-沟道场效应晶体管,其被耦接在高电压源与所述输出节点之间,具有受到根据所述控制信号控制的栅极,并且其中,所述电流吸收单元是N-沟道场效应晶体管,其被耦接在输出节点和地节点之间,具有受到根据所述控制信号控制的栅极。
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