[发明专利]具有非完全粘接区域的半导体激光装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 200710305152.2 申请日: 2007-10-08
公开(公告)号: CN101227060A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 国政文枝 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/00;H01L21/60;H01L23/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具有 完全 区域 半导体 激光 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体激光装置,其特征在于,

包括:

形成条状发光区域的半导体激光元件;以及

被粘接于所述半导体激光元件的散热器,

所述半导体激光元件具有:

与所述散热器相对的导电性的电极;以及

层叠于所述导电性的电极的焊料层,

所述焊料层不存在于第一区域,而存在于第二区域,所述第一区域是与所述发光区域以所述条状延伸的延伸方向、和所述发光区域的厚度方向正交的正交方向的从所述发光区域的中心线到朝向所述正交方向的两侧离开规定尺寸处的区域,并且,所述第二区域是从所述中心线到比所述第一区域更向所述正交方向的两侧离开的区域,

进而还包括所述焊料层与所述散热器所具有的金属层进行合金化的粘接部。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于,

在所述第一区域中,在所述半导体激光元件的所述导电性的电极与所述散热器所具有的金属层之间不存在焊料,并且,所述导电性的电极与所述金属层不融接。

3.根据权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于,

在所述第一区域中,在所述半导体激光元件的所述导电性的电极与所述散热器之间形成有空洞。

4.根据权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于,

在所述第二区域中,所述导电性的电极和所述焊料层的接合部与所述焊料层形成合金化。

5.根据权利要求1所述的半导体激光装置,其特征在于,

所述导电性的电极包括用含有Au的材料制作的表层,

所述焊料层用由AuSn或者SnPb构成的焊料材料制作,

所述散热器所具有的金属层包括用含有Au的材料制作的表层。

6.根据权利要求5所述的半导体激光装置,其特征在于,所述焊料层用由AuSn构成的焊料材料利用电解镀制作。

7.一种电子设备,其具备权利要求1所述的半导体激光装置。

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