[发明专利]评价装置及使用此评价装置的评价方法无效
| 申请号: | 200710305133.X | 申请日: | 2007-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN101207139A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
| 发明(设计)人: | 竹口彻;本并薰 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 评价 装置 使用 方法 | ||
1.一种评价装置,其特征在于,包括:
绝缘性基板;
在上述绝缘性基板上配置、分别包括薄膜晶体管的多个评价单元;
用于对上述各元件施加电信号的第1布线;
用于从上述各元件中取出电输出的第2布线;和
扫描布线;
通过将上述多个评价单元分别电连接在上述第1布线、上述第2布线和上述扫描布线上,使得上述多个评价单元各自连接;
将从上述第2布线延伸的端子焊盘设置在上述绝缘性基板上。
2.根据权利要求1所述的评价装置,其特征在于,上述评价单元还包括电容元件。
3.根据权利要求1所述的评价装置,其特征在于,二维配置上述评价单元。
4.根据权利要求1所述的评价装置,其特征在于,上述评价单元包括使用多晶半导体膜制作的上述薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的评价装置,其特征在于,上述多晶半导体膜是多晶硅膜。
6.根据权利要求4所述的评价装置,其特征在于,通过对非晶半导体膜照射激光使上述多晶半导体膜多晶化。
7.一种评价方法,使用权利要求1所述评价装置,其特征在于,包括:
通过上述第1布线对上述薄膜晶体管施加电压的工序;
通过上述扫描布线对上述薄膜晶体管施加多个电压值的电压的工序;和
通过上述第2布线针对施加的上述多个电压值的电压,测量从上述评价单元分别输出的电信号的工序。
8.一种评价方法,使用权利要求1所述评价装置,其特征在于,包括:
对上述扫描布线施加电压的工序;
通过上述第1布线对上述薄膜晶体管施加多个电压值的电压的工序;和
通过上述第2布线针对施加的上述多个电压,测量从上述评价单元分别输出的电信号的工序。
9.根据权利要求7或8所述评价方法,其特征在于,从上述评价单元输出的电信号是电流、电容器容量的任意一个。
10.一种评价方法,使用权利要求1所述评价装置,其特征在于,包括:
通过上述第1布线对上述薄膜晶体管施加电压的工序;
通过上述扫描布线对上述薄膜晶体管施加多个电压值的电压的工序;
通过上述第2布线针对施加的上述多个电压值的电压,测量从上述评价单元分别输出的电流值的工序;和
算出用上述多个电压值的差分除以上述分别输出电流值的差分的值的工序。
11.一种评价方法,使用权利要求1所述评价装置,其特征在于,包括:
通过上述扫描布线对上述薄膜晶体管施加电压的工序;
通过上述第1布线对上述薄膜晶体管施加多个电压值的电压的工序;和
通过上述第2布线测量相对于上述多个电压的施加的上述电容元件的上述电容器容量的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





