[发明专利]一种近晶态液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 200710304410.5 申请日: 2007-12-27
公开(公告)号: CN101470286A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 孙刚 申请(专利权)人: 汉朗科技(北京)有限责任公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G09G3/36;C09K19/40;C09K19/12
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人: 张卫华
地址: 100081北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶态 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种近晶态液晶显示装置,其特征在于:它包括近晶态液晶显示屏、驱动控 制装置、蓄电池和太阳能接收装置,该近晶态液晶显示屏、驱动控制装置、蓄电池、 太阳能接收装置依次相连,其中:

该近晶态液晶显示屏包括第一基体层和第二基体层,在该第一基体层与第二基 体层的中间设有一混合层,该混合层由近晶态液晶和添加物混合而成,该近晶态液 晶为带硅基的A类近晶态液晶有机化合物、四氰基四辛基联苯或四乙酸癸酯四氰基 联苯中的任一种,该添加物为十六烷基三乙基溴化铵,在第一基体层朝向混合层的 一侧设有第一导电电极层,在第二基体层朝向混合层的一侧设有第二导电电极层, 第一导电电极层由M个平行排列的条状电极组成,第二导电电极层由N个平行排列 的条状电极组成,第一导电电极层的M个条状电极与第二导电电极层的N个条状电 极相垂直,以使该第一与第二导电电极层形成一M×N的像素点阵列,该第一和第 二导电电极层与驱动控制装置相连;

该太阳能接收装置为至少一个太阳能电池板。

2.根据权利要求1所述的近晶态液晶显示装置,其特征在于:

所述第一基体层和第二基体层均为玻璃,或者所述第一基体层和第二基体层均 为塑料,或者第一基体层和第二基体层中的一个为玻璃,另一个为塑料。

3.根据权利要求1所述的近晶态液晶显示装置,其特征在于:

所述混合层的厚度为2微米~30微米,所述混合层的组成为:所述近晶态液晶 占混合总重量的90%~99.999%,所述添加物占混合总重量的0.001%~10%。

4.根据权利要求1所述的近晶态液晶显示装置,其特征在于:

所述太阳能接收装置贴合于所述近晶态液晶显示屏的一侧上。

5.根据权利要求1所述的近晶态液晶显示装置,其特征在于:

所述混合层还混合有二色性染料。

6.根据权利要求1所述的近晶态液晶显示装置,其特征在于:

所述驱动控制装置内设有驱动控制电路,该驱动控制电路包括控制模块、M个 R波生成模块和N个D波生成模块,其中:

R波生成模块包括第一正电平变换单元、第一负电平变换单元、第一正向信号 生成单元、第一负向信号生成单元和第一信号合成单元,该第一正向信号生成单元 经第一正电平变换单元与控制模块连接,该第一负向信号生成单元经第一负电平变 换单元与控制模块连接,该第一正向信号生成单元和第一负向信号生成单元与第一 信号合成单元连接,该第一信号合成单元与所述第一导电电极层的一个条状电极连 接;

D波生成模块包括第二正电平变换单元、第二负电平变换单元、第二正向信号 生成单元、第二负向信号生成单元、正幅值控制单元、负幅值控制单元和第二信号 合成单元,该第二正向信号生成单元经第二正电平变换单元与控制模块连接,该第 二负向信号生成单元经第二负电平变换单元与控制模块连接,正、负幅值控制单元 分别与第二正向信号生成单元、第二负向信号生成单元连接,该第二正向信号生成 单元和第二负向信号生成单元与第二信号合成单元连接,该第二信号合成单元与所 述第二导电电极层的一个条状电极连接。

7.根据权利要求6所述的近晶态液晶显示装置,其特征在于:

所述第一正电平变换单元包括一CMOS反相器,该CMOS反相器的输入端经一 电容与所述控制模块上与其相对应的信号输出端相连,所述第一正向信号生成单元 包括一高压NMOS晶体管,该高压NMOS晶体管的栅极与所述第一正电平变换单元 的CMOS反相器的输出端相连,该高压NMOS晶体管的漏极经一电容与所述第一信 号合成单元的一输入端相连;

所述第一负电平变换单元包括一CMOS反相器,该CMOS反相器的输入端经一 电容与所述控制模块上与其相对应的信号输出端相连,所述第一负向信号生成单元 包括一高压PMOS晶体管,该高压PMOS晶体管的栅极与所述第一负电平变换单元 的CMOS反相器的输出端相连,该高压PMOS晶体管的漏极经一电容与所述第一信 号合成单元的另一输入端相连;

所述第二正电平变换单元包括一CMOS反相器,该CMOS反相器的输入端经一 电容与所述控制模块上与其相对应的信号输出端相连,所述第二正向信号生成单元 包括一高压NMOS晶体管,该高压NMOS晶体管的栅极与所述第二正电平变换单元 的CMOS反相器的输出端相连,该高压NMOS晶体管的漏极分成两路,一路经一电 阻与所述正幅值控制单元相连,另一路经一电容与所述第二信号合成单元的一输入 端相连;

所述第二负电平变换单元包括一CMOS反相器,该CMOS反相器的输入端经一 电容与所述控制模块上与其相对应的信号输出端相连,所述第二负向信号生成单元 包括一高压PMOS晶体管,该高压PMOS晶体管的栅极与所述第二负电平变换单元 的CMOS反相器的输出端相连,该高压PMOS晶体管的漏极分成两路,一路经一电 阻与所述负幅值控制单元相连,另一路经一电容与所述第二信号合成单元的另一输 入端相连。

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