[发明专利]一种氮化物材料的外延方法无效
| 申请号： | 200710304210.X | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101469451A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02;C30B25/18;H01L21/205;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 材料 外延 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能氮化物材料的低成本外延方法，包括：
采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；
采用金属有机物化学气相沉积模式生长成核层；
采用氢化物气相外延模式生长铝镓铟氮缓冲层；
采用金属有机物化学气相沉积模式生长光电子材料的器件结构。
2.根据权利要求1所述的外延方法，其特征在于，所述图形衬底是图形化的蓝宝石衬底，或硅衬底，或碳化硅衬底，或铝酸锂衬底。
3.根据权利要求1所述的外延方法，其特征在于，所述应力释放层是具备释放异质外延应力结构的衬底。
4.根据权利要求1所述的外延方法，其特征在于，所述成核层是氮化铝或者氮化镓的低温成核层和初始氮化物薄层材料。
5.根据权利要求1所述的外延方法，其特征在于，所述成核层和薄层氮化物由金属有机物化学气相沉积生长，作为后续的氢化物气相外延生长成核层。
6.根据权利要求1所述的外延方法，其特征在于，所述光电子器件是利用金属有机物化学气相沉积精确控制的生长模式在作为后续的氢化物气相外延生长的缓冲层上实现的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710304210.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
