[发明专利]带隙基准电压参考电路有效
| 申请号： | 200710303891.8 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101470458A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王晗;叶青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 电压 参考 电路 | ||
1.一种带隙基准电压参考电路，其特征在于，该电路包括：
一VBE电压产生器(11)，该VBE电压产生器(11)包括一个用于产生两支路参考电路的自偏置电流源(111)，以及耦合于该自偏置电流源(111)的用于产生两路VBE电压的偏置发生器(112)；
一基准电压调节器(12)，该基准电压调节器(12)包括运算跨导放大器(121)和基准电压调节单元(122)，用于产生一个恒定的基准电压；其中：
自偏置电流源(111)包括PMOS晶体管M1、M2和NMOS晶体管M3、M4，其中M1和M2的源极与参考电源相连接，M1的栅极、M2的栅极和漏极以及M4的漏极直接耦合，而M1的漏极、M3的栅极和漏极以及M4的栅极直接耦合，M3、M4的源极分别与所述偏置发生器(112)中pnp晶体管D1和D2的发射区相连接；
偏置发生器(112)包括pnp晶体管D1和D2，D1和D2的基区和集电区接地，发射区与所述自偏置电流源(111)中M3和M4的源极分别相连接；
运算跨导放大器(121)包括一路正输入端、一路负输入端和一路输出端，其中正输入端与所述基准电压调节单元(122)中的晶体管M7的栅极相连接，负输入端与所述自偏置电流源(111)中M3的源极相连接，输出与晶体管M5的栅极相连接；所述晶体管M5用于为所述基准电压调节单元(122)提供直流偏置；
基准电压调节单元(122)包括PMOS晶体管M6、M7和M8，该晶体管M6、M7和M8是工作中亚阈值的晶体管，其中晶体管M6和M7的栅极与漏极相连接，M8的栅极与所述自偏置电流源(111)中M4的源极相连接；所述M6、M7和M8的衬底与各自的源极相连接。
2.根据权利要求1所述的带隙基准电压参考电路，其特征在于，所述偏置发生器(112)产生的第一路偏置和第二路偏置共同耦合到所述自偏置电流源(111)上产生两路参考电压。
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