[发明专利]等离子体辅助有机薄膜沉积装置有效
申请号: | 200710302363.0 | 申请日: | 2007-12-25 |
公开(公告)号: | CN101469415A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 黄国兴;林东颖;张均豪;王家宏;王登彦 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 辅助 有机 薄膜 沉积 装置 | ||
技术领域
本发明关于一种等离子体辅助有机薄膜沉积装置,尤其涉及一种等离子体产生室与沉积室分离的有机薄膜沉积装置。
背景技术
由于OLED(有机发光二极体)显示面板极易吸收空气中的水分而致其使用寿命短暂,无法与LCD面板抗衡,导致OLED产品在市场拓展上普遍存在障碍;而高分子有机薄膜与无机薄膜搭配构筑多层膜后,可有效降低水气进入机率,使OLED产品寿命延长。
聚对二甲苯(Parylene)有机薄膜可形成无针孔膜层,有极好的阻水氧的特性,材料无色且高透明度,具有极高的绝缘强度,抵抗生锈、腐蚀、风化等;目前一般的聚对二甲苯(Parylene)镀膜方式是将粉末状的材料,经过汽化(150℃)与裂解(650℃)的过程后,导入沉积室中,在室温下以气相沉积(CVD)的方式沉积在基板表面;但是,此种方式形成的有机薄膜表面均匀度与粗糙度不均。
针对专利而言,如美国发明专利早期公开US 20050000435号“Reactor forproducing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films”,及美国发明专利US 5958510号“Method and apparatus for forming a thinpolymer layer on an integrated circuit structure”,该两项专利所提出的有机薄膜工艺,在薄膜沉积腔室外部进行裂解,而后再于薄膜沉积腔室内部以等离子体打断链结,其主要功效在于制造低介电系数的有机薄膜、提升薄膜沉积速度与改善薄膜的热机械性质,但并未提及改善有机薄膜的均匀度与粗糙度;而值得注意的是,其等离子体辅助工艺在薄膜沉积的基板与腔室内进行,不仅薄膜沉积工艺温度高,且由于等离子体离子直接撞击基板,而影响有机薄膜成型品质及寿命。
发明内容
本发明的目的在于提出一种等离子体辅助有机薄膜沉积装置,可避免等离子体离子直接撞击基板,并可提供低温薄膜沉积工艺,以有效改善有机薄膜表面粗糙度、提升其均匀性。
为实现上述目的,本发明提出一种等离子体辅助有机薄膜沉积装置,其主要由一等离子体产生室及一沉积室构成,该等离子体产生室可等离子体热裂解该等离子体产生室内的可聚合材料气体;该沉积室与该等离子体产生室连通,用以接收该热裂解的可聚合材料气体,该沉积室包括一基板装置,该基板装置可供该热裂解的可聚合材料气体沉积于其上以形成有机薄膜。
本发明的有益效果在于,通过将等离子体产生室与沉积室分离,提供一低温薄膜沉积工艺,并可避免等离子体离子直接撞击基板,可有效改善有机薄膜表面粗糙度并提升其均匀性。
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的一实施例结构示意图;
图2为本发明的导流装置配合等离子体产生室的立体示意图;
图3为未设置导流装置的长圆筒状等离子体产生室的立体示意图;
图4为未设置导流装置的矩形等离子体产生室的立体示意图;
图5为本发明的等离子体产生室不同形状的出口端在基板的浓度差异率比较图;
图6为本发明另一实施例结构示意图。
其中,附图标记
1、1a、1b、1c-等离子体产生室
11-进气装置
12、12a、12b、12c-出口端
14、14a、14b、14c-导流装置
141、141a-内缩端
142、142a-扩张端
2-沉积室
21-基板装置
211-支撑器件
212-转轴
213-驱动马达
3-蒸发室
31-输入管道
4-质量流率控制
5-射频(RF)发生器
6-工作气体进气装置
61、62、63-输入管道
611、621、631-流量控制器
7-基板
8-泵装置
9-冷却阻却器
10-裂解室
具体实施方式
为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解,将参照附图并配合实施例详细说明如下,但以下附图及实施例仅为辅助说明,本发明并不限于附图及实施例。
请参阅图1所示实施例,本发明提供的等离子体辅助有机薄膜沉积装置,其主要包括一等离子体产生室1及一沉积室2。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的