[发明专利]具有晶圆黏片胶带的集成电路及其封装方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于包含：

一晶片，其包含：

一前表面；

一背部表面位于该晶片的该前表面的反面；以及

多个硅贯通电极，凸出于该晶片的该背部表面，且每一该些硅贯通电极具有不同的凸出长度；以及

一异方性导电膜贴附于该晶片的该背部表面；

其中该些硅贯通电极穿透入该异方性导电膜。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于还包含一封装基板，其中该异方性导电膜介于该封装基板及该晶片之间。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于其中该异方性导电膜连接该封装基板。

4.如权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于中该封装基板选自于由玻璃基板、双马来亚酰胺三氮六环化合物基板、印刷电路基板及导线架所组成的群组。

5.如权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于还包含介于该封装基板及该异方性导电膜的间的一导电层。

6.如权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于其中该封装基板包含一导电层，且其中该导电层进一步电性连接至位于该晶片内的该些硅贯通电极。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于其中该晶片是一晶圆的一部分，且其中该集成电路结构更包含和该异方性导电膜相连接的一紫外线晶圆黏片胶带，且其中该异方性导电膜及该紫外线晶圆黏片胶带的大小不会小于该晶圆的大小。

8.一种封装结构的形成方法，其特征在于包含：

提供一晶片，该晶片包含：

一前表面；

一背部表面位于该前表面的反面；以及

多个硅贯通电极，凸出于该晶片的该背部表面；以及

贴附一异方性导电膜于该晶片的该背部表面，且每一该些硅贯通电极具有不同的凸出长度，其中该硅贯通电极穿透入该异方性导电膜。

9.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于其中该贴附该异方性导电膜的步骤包含：

提供一集成电路晶圆黏片胶带，该胶带包含： 

一紫外线晶圆黏片胶带；以及

一异方性导电膜位于该紫外线晶圆黏片胶带的一面上；

贴附一半导体晶圆至该集成电路晶圆黏片胶带，其中该晶片是该晶圆的一部分，且其中该晶圆的该背部表面和该异方性导电膜相接触；

切割该半导体晶圆以分离位于该半导体晶圆内的多个晶片；

暴露该紫外线晶圆黏片胶带于一紫外线中；以及

将该紫外线晶圆黏片胶带自该异方性导电膜上脱落。

10.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于其中该提供该晶片的步骤包含：

提供具有该晶片的一晶圆，其中该晶片包含许多硅贯通电极；以及

研磨该晶圆背部以暴露出所述硅贯通电极。

11.如权利要求10所述的封装结构的形成方法，其特征在于还包含固定该晶片及该异方性导电膜至一封装基板上，其中所述硅贯通电极包含至少二种不同的硅贯通电极长度，且其中当完成固定的步骤后，该晶片的一背部表面大体上与该封装基板的表面平行。