[发明专利]制造电路的方法无效
| 申请号: | 200710301556.4 | 申请日: | 2007-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101207054A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
| 发明(设计)人: | 哈里·黑德勒;罗兰·伊尔西格勒 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/482 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 电路 方法 | ||
相关申请交叉参考
本专利申请要求于2006年12月21日提交的第DE 10 2006 060533.0号德国专利申请的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于制造具有包括电导体的第一层的电路结构(布置,arrangement)和具有与第一层相接触的接触层的结构的方法,所述第一层具有带有电导体的通道(channel)。
背景技术
在传统应用中,电路(诸如存储器芯片)以导电的方式通过引线接合法连接至衬底或连接至其它电路。而且,已知方法使用倒装芯片连接法,通过该方法,电路以导电的方式与衬底相接触或与其它电路相接触。在已知方法或已知结构中,分别地,使用多个电线或连接元件以便以导电的方式将电路连接至衬底或连接至其它电路。
出于这些及其它原因而需要本发明。
发明内容
一个实施例提供了一种用于制造电路结构的方法,该电路结构具有包括电导体的第一层,该电导体具有用于电路的电触点。在一个实施例中提供了基底层,其中:包括至少一个通道的第一层被设置在基底层上;第一层由电绝缘材料制成;基底层至少部分地覆盖通道;第二层被设置在第一层上,第二层包括凹部,该第二层至少部分地覆盖通道;并且该凹部至少部分地设置在通道上方;通道和凹部填充有液体,该液体被固化并且电导体被形成在通道中以及凹部中。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解,并且附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施例并与所述描述一起用于解释本发明的原理。由于通过结合以下详细描述更好理解,因此更容易明白本发明的其它实施例和本发明的许多预期优点。附图中的元件不必相对于彼此成比例。相同的参考标号表示相应的类似部件。
图1示出了衬底。
图2示出了衬底的横截面图。
图3示出了具有第一层的衬底。
图4示出了具有第一层的衬底的横截面图。
图5示出了具有第一层和第二层的衬底。
图6是具有第一层和第二层的衬底的横截面图。
图7示出了具有填充有液体导电材料的第一层和第二层的衬底。
图8是具有填充有液体导电材料的第一层和第二层的衬底的横截面图。
图9是具有第一层和第二层的衬底的横截面图,所述第一层和第二层具有接触球。
图10示出了具有第一层和第二层以及第三层的衬底的横截面图。
图11是具有第一层和第二层以及接触元件的衬底的横截面图。
图12示出了第一工艺过程。
图13示出了第二工艺过程。
图14示出了第三工艺过程。
图15示出了第四工艺过程。
图16示出了用于制造具有电触点的部件的第五工艺过程。
图17示出了具有第一层和第二层以及用于连接的载体衬底(Carrier Substrate)的衬底。
图18示出了在连接至载体衬底之后的具有第一层和第二层的衬底。
图19示出了包括具有填充的通道的载体衬底的衬底。
图20示出了包括载体衬底的衬底,所述衬底由保护层(cappinglayer)环绕。
图21示出了部件的另一个实施例。
图22示出了包括衬底、第一层和第二层以及载体衬底的结构。
图23示出了包括衬底和载体衬底的结构,所述通道被填充。
图24示出了包括载体衬底和保护层的衬底。
图25示出了第三层。
图26示出了包括第一和第二层的第三层。
图27示出了具有下部保护层的第一、第二和第三层。
图28示出了具有填充通道的第一、第二和第三层。
图29示出了具有接触垫(contact pad)的第一、第二和第三层的另一个实施例。
图30示出了具有接触垫和两个衬底的结构。
图31示出了具有中间层的图30的结构。
图32示出了具有由保护层环绕的两个衬底的结构。
图33示出了具有接触球的两个衬底。
图34示出了通过接触球连接至两个衬底的层结构。
图35示出了包括衬底和接触球的层结构,其中设有中间层。
图36示出了具有由保护层环绕的两个衬底的结构。
图37示出了用于在第一工艺过程中填充通道的结构。
图38示出了用于在第二工艺过程中填充通道的结构。
图39示出了第三工艺过程中的结构。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





