[发明专利]柱形相变存储单元

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

第一电极；

存储位置，包括相变材料并接触所述第一电极，所述存储位置具有第一截面宽度；以及

第二电极，接触所述存储位置，所述第二电极具有比所述第一截面宽度大的第二截面宽度，

其中，所述第一电极、所述存储位置和所述第二电极形成柱形相变存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述存储位置包括相变材料层的叠层。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述相变材料包括Ge、Sb、Te、Ga、As、In、Se、和S中的至少一种。

4.据权利要求1所述的存储单元，还包括：

绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极的第一部分；以及

蚀刻停止层，侧面地围绕所述第二电极的第二部分。

5.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：

绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极的第一部分；以及

介电材料，侧面地围绕所述第二电极的第二部分。

6.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：

绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极的第一部分；

介电材料，侧面地围绕所述第二电极的第二部分；以及

蚀刻停止层，侧面地围绕所述第二电极的第三部分。

7.一种存储单元，包括：

第一电极；

接触部，接触所述第一电极；

存储位置，包括相变材料并接触所述接触部，所述存储位置具有第一截面宽度；以及

第二电极，接触所述存储位置，所述具有比所述第一截面宽度大的第二截面宽度，

其中，所述第一电极、所述接触部、所述存储位置和所述第二电极形成柱形相变存储单元。

8.根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述存储位置包括相变材料层的叠层。

9.根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述相变材料包括Ge、Sb、Te、Ga、As、In、Se、和S中的至少一种。

10.根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述接触部具有与所述第一截面宽度基本相等的截面宽度。

11.根据权利要求7所述的存储单元，还包括：

绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极的第一部分；以及

蚀刻停止层，侧面地围绕所述第二电极的第二部分。

12.根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述接触部具有比所述第一截面宽度大的截面宽度。

13.根据权利要求12所述的存储单元，还包括：

第一绝缘材料，侧面地围绕所述接触部；以及

介电材料，侧面地围绕所述存储位置。

14.根据权利要求13所述的存储单元，还包括：

第二绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极。

15.据权利要求13所述的存储单元，还包括：

第二绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极的第一部分；以及

蚀刻停止层，侧面地围绕所述第二电极的第二部分。

16.根据权利要求13所述的存储单元，还包括：

第二绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极的第一部分，

其中，所述介电材料侧面地围绕所述第二电极的第二部分。

17.根据权利要求13所述的存储单元，还包括：

第二绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极的第一部分；以及

蚀刻停止层，侧面地围绕所述第二电极的第二部分，

其中，所述介电材料侧面地围绕所述第二电极的第三部分。

18.根据权利要求7所述的存储单元，还包括：

介电材料，侧面地围绕所述存储位置；以及

第一绝缘材料，侧面地围绕所述介电材料和所述接触部。

19.根据权利要求18所述的存储单元，还包括：

第二绝缘材料，侧面地围绕所述第二电极。