[发明专利]掩模装置、其制造方法以及制造有机发光显示装置的方法

权利要求书

1.一种掩模装置，包括：

形成于掩模上的至少一个掩模对准标记；

形成于所述掩模上并阻隔沉积材料的阻隔区域；和

形成于所述掩模上的孔区域，沉积材料由所述孔区域通过，

其中，所述至少一个掩模对准标记形成于所述孔区域之外，所述孔区域具有条形图样，所述掩模基底的轧制方向平行于所述条形图样的纵向。

2.根据权利要求1所述的掩模装置，其中，所述孔区域具有6μm或更小的直度。

3.根据权利要求1所述的掩模装置，其中，所述掩模由金属或金属合金形成。

4.根据权利要求3所述的掩模装置，其中，所述掩模由不锈钢形成。

5.根据权利要求1所述的掩模装置，其中，所述掩模所形成的厚度为0.5mm-1mm。

6.一种制造掩模装置的方法，所述方法包括：

轧制掩模基底；和

在所述掩模基底上形成具有条形图样的孔区域，从而使所述条形图样的纵向平行于所述掩模基底的轧制方向。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述掩模基底利用一轧辊通过轧制处理形成。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述孔区域通过光刻方法形成。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在轧制所述掩模之后进行预处理。

10.一种制造有机发光显示装置(OLED)的方法，包括：

在基底上形成第一电极；

将具有所述第一电极的所述基底插入包括一掩模装置的沉积腔中，使得所述条形孔区域的纵向平行于所述掩模基底的轧制方向；

将包括发射层的有机层沉积在所述基底上；

将所述基底移除至所述沉积腔的外部；和

在所述基底的整个表面上形成第二电极。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：在所述基底上的包含半导体层、栅极，源极和漏极的薄膜晶体管，其中，所述第一电极电连接到所述源极或漏极。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述有机层通过蒸镀方法形成。

13.一种有机发光显示装置(OLED)，包括：

基底；

在所述基底上的第一电极；

在所述基底上的包括发射层的有机层；和

在所述基底的整个表面上的第二电极；其中，

所述发射层以条形孔图样形成，

所述条形孔沿平行于所述掩模基底的轧制方向的方向设置，和

所述条形孔具有6μm或更小的直度。

14.根据权利要求13所述的装置，所述装置进一步包括：在所述基底上的包含半导体层、栅极，源极，和漏极的薄膜晶体管，其中，所述第一电极电连接到所述源极或漏极。

15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述有机层通过蒸镀方法形成。

16.根据权利要求6所述的方法，其中，所述形成孔区域的步骤进一步包括：

在所述掩模基底的整个表面上应用光刻胶；

在所述掩模基底上设置掩模；

将所述掩模和所述掩模基底的组合的开口区域暴露于紫外光；

溶解在所述暴露区域中的所述光刻胶；

蚀刻所述暴露区域；和

利用脱离剂去除残留的光刻胶。

17.根据权利要求6所述的方法，其中，所述形成孔区域的步骤进一步包括：

在所述掩模基底的整个表面上应用光刻胶；

在所述掩模基底上设置掩模；

将所述掩模和所述掩模基底的组合的开口区域暴露于紫外光；

溶解未暴露区域中的所述光刻胶；

蚀刻所述未暴露区域；和

利用脱离剂去除残留的光刻胶。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，

所述掩模包括暴露区域、未暴露区域和半暴露区域，并且，所述半暴露区域被部分地蚀刻。

19.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

沿着至少一条划线将所述掩模装置分开。