[发明专利]光刻系统、器件制造方法、定点数据优化方法及产生设备

权利要求书

1.一种产生优化定点数据的方法，其中所述优化定点数据用于控制被配置用于调制无掩模光刻系统中的辐射束的独立可控元件阵列的元件动作，所述无掩模光刻系统具有被配置用于调节辐射束的照射系统以及被配置用于将经过调制的辐射束投影到衬底上的投影系统，所述方法包括步骤：

a)获得起始定点数据；

b)估计将起始定点数据应用到被配置用于调制辐射束的独立可控元件阵列上而得到的器件结构；

c)将在步骤(b)中估计出的器件结构与待形成在衬底上的目标器件结构相比较、以确定器件结构误差；

d)修改定点数据，并采用经过修改的定点数据代替起始定点数据、根据需要重复步骤(b)和(c)，直到器件结构误差落到预定阈值以下为止；以及

e)输出器件结构误差在预定阈值之下时的经过修改的定点数据作为优化的定点数据，由此基于经过修改的定点数据激励独立可控元件阵列。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述估计步骤(b)利用下列因素中的至少一个：投影系统的低通特性、照射系统的配置、和工艺窗口属性。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述起始定点数据基于目标器件结构获得。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：

估计预期由参考光刻装置中的衬底的曝光产生的器件结构；以及

使用由此被估计的器件结构作为目标器件结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述参考光刻装置是采用包括光学邻近校正的掩模的、基于掩模的光刻装置。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(b)包括：

b1)估计由于将定点数据应用到独立可控元件阵列而被曝光到衬底上的辐射剂量图案；以及

b2)估计由在对估计出的辐射剂量图案曝光之后的衬底的曝光后处理所产生的器件结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤(b1)包括：

使用表示独立可控元件的参考阵列的性能的数学模型，所述参考阵列是阵列的特定设计的理想的、无误差形式的数学构造。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述数学模型利用参考阵列的下列属性：来自元件之间的狭缝的反射、元件反射率、偏振依赖性、枢纽效应、不平坦效应或辐射在参考阵列上的特定入射角。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述数学模型基于计算与参考阵列的衍射行为对应的麦克斯韦方程组的至少近似解。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤(b1)包括：

采用表示独立可控元件阵列的特定情况的性能的数学模型，所述数学模型利用由于在特定情况下的缺陷导致的来自参考阵列的偏差。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述数学模型利用：元件高度变化、无响应元件、带有受限的有效范围的元件、元件表面的变化、阵列形状的变化、元件反射率的变化、相位跳跃的锐度、或制成元件的材料的特定的物理属性。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤(b1)包括：

采用表示参考投影系统的性能的数学模型，所述参考投影系统是投影系统的特定设计的理想的、无误差形式的数学构造。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述步骤(b1)包括：

采用表示投影系统的特定情况的性能的数学模型，所述数学模型利用由于在特定情况下的缺陷导致的来自参考投影系统的偏差。

14.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤(b1)包括：

采用表示参考照射系统的性能的数学模型，所述参考照射系统是照射系统的特定设计的理想的、无误差形式的数学构造。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述步骤(b1)包括：

采用表示照射系统的特定情况的性能的数学模型，所述数学模型利用由于在特定情况下的缺陷导致的来自参考照射系统的偏差。

16.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤(b2)包括采用曝光后处理的数学模型。