[发明专利]影像感测器无效
申请号: | 200710201355.7 | 申请日: | 2007-08-14 |
公开(公告)号: | CN101369592A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 马丰阳;王少宏 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 | ||
技术领域
本发明关于一种影像感测器,尤其是一种具有散热装置的影像感测器。
背景技术
一般影像感测器是用来接收光信号,当接收光信号后,可透过影像感测晶片将光信号转变成电信号,藉由基板传递到电路板上。
现有一种影像感测器,如图1所示,该影像感测器包括基板10、凸缘层11、影像感测晶片12、多条导线13及透光层14。基板10上设有形成信号输入端101的第一表面102及形成信号输出端103的第二表面104。凸缘层11设有上表面111与该上表面111相对的下表面112。该上表面111与基板10的第一表面102固定相连,而该下表面112与透光层14固定相连。影像感测晶片12通过粘胶15设置于基板10与凸缘层11所形成的凹槽内,并固定于基板10的第一表面102上。多条导线13电连接到影像感测晶片12的焊垫121与基板10的信号输入端101。透光层14通过粘胶15设置于凸缘层11的上表面111上。
上述影像感测器的影像感测晶片12设置于基板10上,使得当入射光照射到该影像感测晶片12上时所产生的热量,以及该影像感测晶片12本身运行所产生的热量不能及时地散发出去,从而会使得影像感测器的温度超过其额定使用温度的范围,进而降低了该影像感测器的寿命以及所获取影像的质量。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种具有散热装置的影像感测器。
一种影像感测器,其包括一个基板以及一个与该基板相连的影像感测晶片。所述基板上设置有一个容置孔,且影像感测晶片覆盖在该容置孔上。该影像感测器还包括一个散热片,其收容于基板的容置孔中,并与影像感测晶片接触。
上述影像感测器利用所述散热片,使得入射光照射到该影像感测晶片上时所产生的热量,以及影像感测晶片本身运行时所产生的热量可通过该散热片及时散发出去,从而使得影像感测器的温度回到额定使用温度的范围,提高了该影像感测器的寿命以及所获取影像的质量。
附图说明
图1是现有影像感测器剖视图;
图2是本发明提供的第一实施例的影像感测器的结构分解示意图;
图3是图2的影像感测器的剖视图;
图4是本发明提供的第二实施例的影像感测器的结构分解示意图;
图5是图4的影像感测器的剖视图。
具体实施方式
为了对本发明作更进一步的说明,举以下较佳实施例并配合附图详细描述如下。
请参阅图2及图3,为本发明所提供的第一实施例的影像感测器200的结构示意图。该影像感测器200包括一个具有一容置孔201的基板20,一个设置于基板20且覆盖于所述容置孔201上的影像感测晶片21,一个收容于所述容置孔201中的散热片22、一个设置于基板20上,且设于与影像感测晶片21同侧的凸缘层23以及盖设于凸缘层23相对于基板20的另一侧的透光层24。在所述散热片22与影像感测晶片21之间还设置有一个导热连接元件26。
所述基板可以为一种具有一个第一表面202与一个相对于第一表面202的第二表面203的电路板,且其为形成有电路图案(图未示)的双层或多层印刷电路板或陶瓷电路板。所述基板的容置孔201优选地设置于该基板20的中央,且为一通孔。该容置孔201的面积小于所述影像感测晶片21的面积。该容置孔201可以为方形、圆形或其他形状,在本实施例中,该容置孔201的形状为方形。该第一表面202上设置有多个内接点204,优选地,该内接点204设置于第一表面202的围绕容置孔201的周边。该第二表面203上设置有多个外接点205。
所述影像感测晶片21可以为具有一感测表面211及一对应于该感测表面211的背面212的集成电路芯片,用于感测所拍摄影像(图未示)的信息。该感测表面211的周边设置有多个焊垫213,且该焊垫213的个数与基板20的内接点204的个数相当。该影像感测晶片21与基板20通过粘胶(图未示)固定于该基板20的第一表面202上,且该影像感测晶片21盖设于所述容置孔201上,优选地,该影像感测晶片21与容置孔201同中心轴线设置。该焊垫213与内接点204通过导线25电性连接,以将影像感测晶片21所获取的影像数据传输至该基板20,并最终通过外接点205传输到电路板(图未示)上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的